[参考译文] RF430FRL152H：射频能量收集

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https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/937608/rf430frl152h-rf-energy-harvesting

器件型号：RF430FRL152H
主题中讨论的其他器件：RF430FRL154H、 BQ25570

尊敬的 TI：

目前、我一直在研究我的论文项目、该项目应该完全由射频波供电(简而言之、它是一个由收集射频波供电的无电池供电的电路)。我所在的区域具有非常好的频率捕获功能、因此频率范围为1MHz ~ 2.4GHz。我偶然发现了您的器件之一、即 RF430FRL154H 和 RF430FRL152HCRGER。我的问题是：-

在 RF430FRL152HCRGER 引脚布局中、我可以使用哪个引脚连接到电路的输入端？我应该使用引脚24 (VDDD)吗？

2.由于引脚3 (VDDSW)是一个开关、是否也可以将其用作升压转换器来为我的电路供电？

是否有 TI 在线仿真提供在 RF430FRL152HCRGER 等器件上运行仿真的服务、就像您在 WEBENCH 设计网站上仿真电源拓扑的方式一样？如果您还能让我更深入地了解、尤其是了解如何从 RF430FRL152HCRGER 中吸收更多电压的更好选项、我将不胜感激。

下面是一个指向的链接

除了上述3个问题之外、我一直在考虑在天线之后为我的电路集成阻抗匹配相位、但由于 RF430FRL152HCRGER 不需要阻抗匹配、它可以在任何带宽下工作吗？

我的电路具有以下规格：VIN：0.3~5VDC、最大值0.7A、工作输入电压：0.8VDC

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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你好，里根，

当查看您的电路所需的电源电流(最大0.7A)时、RF430FRL15x 肯定是错误的选择。您需要从器件获取的电压为 VDDH、这是该引脚通过标称值指定的整流天线电压。 2V @ 100uA。您可以从此器件汲取的最大电流在单位 mA 范围内。

此致、

Helfried

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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尊敬的 Helfried Vollbrecht：

感谢您的反馈。

根据您提供的信息、除 RF430FRL15x 外、您还有适合将其集成到我的电路中的任何其他 TI 产品吗？如果我的电路的输入工作参数非常高(输入电压：0.3~5VDC、最大值0.7A、工作输入电压： 0.8VDC)、我也可以使用 BQ25570作为射频能量收集装置和我的电路之间的中间"充当升压器"、因为 BQ25570只需要0.1A 的最大充电电流、工作输入电压为0.6V。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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你好，里根，

BQ25570旨在从 HiZ 源中提取能量。它具有周期性 MPPT 采样。 RF 器件的 MPP 是多少？

此致、

Jeff

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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尊敬的 Jeff F：

我不是一名电气工程师、因此我对 RF 器件 MPP 的了解非常少。然而、凭借我作为航空工程师(负责所有类型飞机电气和电子产品的领域)的经验、我将您的 BQ25570信息用于硕士学位项目、如果您转至 BQ25570手册45的第31页(随附 pdf)

您可以看到、它们使用振动元件作为主要电压源。我确定 PZT (振动元件)和射频器件都产生交流电压、因此、这就是我选择 BQ25570进行设计的原因、当然、在完成 BQ25570手册之后、我确定射频也可以工作的原因。如果我没有错、我的射频器件的 MPP (最大功率点)为3.3 VDC。由于我设计的射频收集器可以为 LED (2.9VDC @ 5mA)供电一小段时间、我想知道是否可以将电流升高到最大0.1A、以便为 BQ25570供电？

注意：由于这不是我的专业领域，我不认为这是可能的。这只是一个想法、想知道它是否可行以及如何实现。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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尊敬的 Eng. Cooper：

BQ25570只能接受直流电压输入。因此、必须首先对任何交流电源进行整流或钳位齐纳二极管、以防止电压降至零以下。 BQ25570 不是电流倍增器。 BQ25570 会突发将其输入电压升压至更高的输出电压。在 VSTOR=VBAT 上的电压达到1.9V 之前、充电器在冷启动模式下工作、这是一种效率极低的升压转换器。 VSTOR 电压达到1.9V 后、只要输入电容器充电至高于 MPP 设定值(在您的情况下为3.3V)、充电器的升压转换器就会打开并从输入电容器中拉出电流、直到电压降至 MPP 点以下。然后、该能量被倒入 VSTOR 和 BAT 处的储能元件(电容器和/或电池)。然后、您可以从电荷储能元件中拉出更多电流。对于 VSTOR = VBAT、所需的大于3.3V 的电压是多少？

由于您的 MPP 如此之高、您可能会考虑添加两个 PFET、一个将收集装置直接短接到 VSTOR 以绕过冷启动、然后一个将收集装置连接到 VIN_DC (VSTOR >1.9V 时)、类似于所连接的 jpg。

此致、

Jeff

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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尊敬的 Jeff：

感谢您的详细原理图和积极反馈。

我将进行研究并检查哪种 PFET 在设计中具有高效的低 Vf、根据您的问题、VSTOR=VBAT 所需的大于3.3V 的电压为5VDC。这是为了确保电路在运行期间始终持续工作。我将设计此电路、对其进行测试、然后向您发送反馈(当然包括图表结果)、以防将来有人可能与我的问题相同。

感谢您的合作和安全保障。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2511415 points

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期待听到您的结果！

此致、

Jeff

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