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[参考译文] RF430FRL152H:器件的调试接口已被保护

Guru**** 2478765 points
Other Parts Discussed in Thread: RF430FRL152H, MSP-FET, RF430FRL152HEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/850420/rf430frl152h-debug-interface-to-the-device-has-been-secured

器件型号:RF430FRL152H
主题中讨论的其他器件: MSP-FET

您好!

我在 定制 PCB 上使用 RF430FRL152H、并尝试使用 CCS 9.0.1和 MSP-FET 来刷写固件。 我正在使用来自 RF430FRL152HEVM 的电平转换器电路。 CCS 项目基于示例代码、并已在 EVM 上进行了测试。

CCS 在刷写定制 PCB 时显示错误"Error connecting to the target:the Debug Interface to the device has been secured"。 这些是未使用的新器件、我可以在多个电路板上重复该问题。

我使用逻辑分析仪捕获了电平位移 JTAG 信号、电压电平看起来正确。 我不熟悉 JTAG 协议、但我可以在 TDO 线路上看到一些响应(例如下图中)、这让我希望 MCU 处于活动状态。

此问题的根源可能是什么? 我应该检查的具体情况是什么?

谢谢、

Jason

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    您好 Jason、

    我以前看到过类似的问题、原因是电源有问题。

    请检查 您的电路中是否连接了所有具有建议值的电容器。 在上述情况下、问题出在 VDD2X 处缺少电容。

    在使用 读取器时、您是否尝试通过射频读取器件存储器?  

    此致、

    Helfried

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    您好、Helfried、

    感谢您的回复! 根据数据表的建议、我在 VDD2X 上确实有一个100nF 电容器。

    我在 VDDB 上提供1.5V 电压、并测量 VDD2x 为2.431V (似乎有点低)。 我在由 VDD2X 提供的 PCB 上还有其他一些组件;可能我消耗的电流过大? VDD2X 是否参与 JTAG 操作?

    另一个与电源相关的问题可能是为 VDDB 供电、而不是为 VDDSW 供电(不带关闭内部开关的固件)。 您是否认为这也可能是一个因素?

    接下来我将尝试通过射频读取器件存储器-只需先连接正确的天线即可。

    最棒的

    Jason

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    您好 Jason、

    请参阅"技术参考手册"第44页图2-1。 它显示了器件的电源电压。 VDD2X 还通过 VDDF 稳压器生成 FRAM 电源电压。 对于射频电源、VDDF 电压 来自 VDDH。

    VDD2X 似乎太低。 从数据表中获取这些值时、最小 VDDB = 1.45V 减去电池开关的50mV 压降、VDDSW 最小为1.4V。 VDD2X 为2x VDDSW - 104mv @ 100uA 、因此 VDD2X 为2.7V。

    如图所示、数字器件还需要提供 VDDSW。

    此致、

    Helfried

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    谢谢、Helfried! 使用外部电源、我为 VDD2X 提供了2.75V 电压、并且能够对 MCU 进行编程。 那么、现在要弄清楚为什么我的 VDD2X 太低... 我将在另一个主题中发布任何其他问题、该主题可以标记为已解决。

    Jason