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[参考译文] RF430FRL152H:复位矢量覆盖问题

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: RF430FRL152HEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/other-wireless-group/other-wireless/f/other-wireless-technologies-forum/623864/rf430frl152h-reset-vector-overwrite-issue

器件型号:RF430FRL152H

您好!

我的客户面临 RF430部件的复位矢量问题。  

具体而言、在通过 RFID 读取应用值时、MCU 的固件有时会损坏。

它不会帮助重新启动模块(从 RFID 字段中取出模块,然后再将其放在那里)。 他们必须再次上传固件才能再次开始通信。

这些模块是原型。 他们知道固件可以通过 RFID 上传、这可能是问题的根源。

他们的问题是、他们是否可以通过 RFID 锁定固件更新。  

测试后、客户直接提供更多详细信息:

今天、我再次测试了固件的损坏情况、并获得了有关该问题的新详细信息。

问题仍然与重置矢量以某种方式被覆盖的问题相同。

因此、我尝试使用 FRAMAaccessLimitRegister 锁定存储器。

我已经写入该寄存器值0xFFD0来锁定 FRAM 存储器的末尾、从地址0xFFD0到存储器区域的末尾。 我通过链接器命令文件中的声明执行了此操作:

FRAMACCESSLIMITREGISTER:origin = 0xF864,length = 0x0002,fill = 0xFFD0

将代码编程到器件后、我通过调试器验证地址0xF864上的值是否为0xFFD0。

一段时间后、我暂停代码并再次检查该 FRAMAaccessLimitRegister。 但地址0xF864上的值更改为0xFFFF (存储器锁定因某种原因而损坏)。 此时、复位矢量仍然正确。 然后、我取消暂停代码并使器件保持运行。

大约5分钟后、设备未应答 RFID 读取器。 我检查了复位矢量。 复位矢量从值0xFD18更改为0xFF18。

我不知道为什么会发生这种情况。

 

您是否有任何疑问?

固件错误?

RAM 溢出?

还有什么呢?

 

谢谢、

此致、

Alberto

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Alberto、

    "他们的问题是、他们是否可以通过 RFID 锁定固件更新。"
    -可以放置 JTAG 锁、但我不确定这是他们的意思。 在这种情况下、我认为这不会有所帮助。
    -是否有不同类型的锁定,也许我不清楚这个问题。

    除了覆盖复位矢量等区域的射频通信外、可能还会出现代码溢出、这会对吗? 我认为我们以前没有看到过这种情况、但根据固件的设置情况、这可能是一种可能性、我当然不想在此阶段排除这种情况。

    他们是否也可以尝试在 RF430FRL152HEVM 上重现此问题? 这似乎是一个固件问题、因此我认为这应该是可能的。 这会让我重新创建我自己硬件的问题...
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Ralph、

    我尝试在 RF430FRL152HEVM 上重现此问题、但未成功。

    相同的固件在 RF430FRL152HEVM 上运行良好。  

    我们有3个由我们设计的温度传感器标签。 其中两个故障(复位矢量覆盖)、其中一个故障从一开始就运行良好。

    硬件设计中是否存在可能导致此类问题的关键因素?

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    您好、Roman、

    正如我之前提到过的、这是我第一次听说这个特定问题、因此如果这个问题在 RF430FRL152HEVM 上不可重复、但说一种或另一种方法还为时过早、我肯定不想排除硬件故障。

    我一定要查看您的应用原理图。

    此外、由于尚不清楚原因是什么、您能否将表现出传感器标签设计问题的芯片之一交换到 RF430FRL152HEVM 上、并查看 EVM 上的问题是否消失?

    然后、您还可以尝试将 EVM 上的芯片放在您的传感器标签上吗?

    这是一个很好的测试、可以尝试隔离问题是出在硬件板还是实际 IC。
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    您好 Ralph、

    我可能找到了问题的根源。 我仔细检查了我们的原理图、发现了一些差异。

    VDDSW 引脚和 VDDD 引脚上的电容器只有100nF。 数据表中建议的 VDDSW 引脚值为2.2uF、VDDD 引脚值为1uF。

    因此、我已经更换了电容器、RFID 传感器标签现在可以正常工作。 我肯定会对其进行更长时间的测试。

    同时、您能否确认电容器的小值(VDDSW 引脚和 VDDD 引脚上为100nF)可能会对复位矢量或 FRAM 存储器产生影响?

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    您好、Roman、

    对于 VDDD、100nF 也将正常。 实际上、如果您查看该部分的主要原理图和建议值、则适用于 VDDD 的电容为100nF (在数据表的原理图部分列为 VDD)。

    对于 VDDSW、2.2uF 的值至关重要、因为它是内部稳压器的去耦电容。 我想您看到的效果更多地是对 FRAM 存储器的影响、而不是复位矢量本身。 无论如何、这肯定会导致 IC 出现问题、因为内部稳压器在电容值如此小的情况下无法正常工作。