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[参考译文] AM1806:关于芯片勘误表说明“2.1.5系统级 ESD 抗扰度使用说明”

Guru**** 674950 points
Other Parts Discussed in Thread: AM1806
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/818504/am1806-about-silicon-errata-description-2-1-5-system-level-esd-immunity-usage-note

器件型号:AM1806

您好!

 

根据 AM1806的器件勘误表

http://www.tij.co.jp/jp/lit/er/sprz314h/sprz314h.pdf

在 “2.1.5系统级 ESD 抗扰度使用说明”一章中,建议使用以下设计。

 

 

但是、如果执行上述设计、到 X1的负载电流可能约为12.5mA。

12.5mA 过大、波形可能会变松。

此外、由于以下条件、也满足了要求  

   

VOH (输出 X1 高电平)< VIH (进入 AM1806的高电平阈值)



则可能发生意外行为。

 

问题1:

为什么建议 R1、R2具有如此小的电阻?



问题2:

 X1的推荐晶体振荡器是什么?

此致、

哈塔。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    对于问题1:
     我不确定为什么建议使用此类电阻器值、但我知道已执行适当的验证测试、以便提出勘误表建议。 您应考虑2.1.5系统级 ESD 抗扰度使用说明中的建议。

    问题2:
      器件数据表的第6.5节"晶体振荡器或外部时钟输入"对此进行了说明。

    此致、
    Yordan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好  

    解决方案  

    勘误表中的电路只是我们使用 EVM 等测试过的一个参考 它似乎可以工作、并且可以通过当时可用的外部振荡器来接受。  

    客户可以根据自己选择的外部振荡器来选择这些值、并确保它满足 CLKIN 要求(1.2V)、并且能够抵抗噪声等  

    必须仔细选择这些值、因为

    如果电阻较高、则对噪声更敏感。 (这显然在某种程度上与系统设计相关、并且会因系统而异)  

    如果电阻过低、则由于 OSC 的输出阻抗会产生较大的压降(我相信这是您的客户关心的问题?)  

    电容

    没有具体建议客户可以自由选择常用的3.3V 或1.8V 振荡器,但需要确保数据表中列出的器件1.2V +/-容差的 CLKIN 电压。

    希望这有助于/

    此致

    Mukul