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[参考译文] TRF372017:时钟性能问题

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: TRF372017
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/rf-microwave-group/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/987659/trf372017-clock-performance-issue

器件型号:TRF372017

大家好、

我的客户正在评估 TRF370217 EVM、并遇到以下一些问题。 请给我们一些建议。

我们目前正在测试 TRF372017评估模块。
需要解决 EVM 异常现象。
我们的测试环境如下:
信号发生器:Keysight VXG M9384B
信号分析器:Keysight UXA N9040B
GUI 设置(默认):



我们在 TRF372017评估板上以4.5GHz LO 测量 EVM、该板具有来自信号发生器的100MHz 宽64QAM 5GNR 基带信号。
中间有一个高峰、我们无法获取 EVM (如下所示)。

   

但是、一旦我们切换 I/Q 基带输入(IN←→QN、IP←→QP)、连接图如下所示。


我们可以在仍然存在直流失调电压的情况下获得较差的 EVM。 (如下所示)



从上述情况来看,
我们如何消除直流偏移并获得出色的 EVM?
此外、我们还想知道为什么我们必须切换 I/Q 基带信号才能获得 EVM 结果。


非常感谢。

陈文森

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    尊敬的 Vincent:

    对于直流偏移、您可以使用 TRF372017的直流偏移校正功能。 数据表的第7.3.13节对其进行了规定。 这是一种减少直流失调电压的迭代方法。  

    同时、假设您与 TRF372017进行直流耦合、Keysight 仪器还应通过调整直流偏移来提供某种类型的载波抵消功能。

    5G 解调还可能具有忽略直流载波的功能。 我不熟悉 Keysight 软件、但我知道其他客户在解调中使用了 Keysight 软件并禁用/忽略了直流载波。

    在某些情况下、Keysight 发生器需要 I/Q 交换。 I/Q 信号彼此相对90度。 各仪器间 I/Q 的绝对相位关系可能不同。 我听说客户说他们需要在 Keysight 仪器上进行 I/Q 交换、而不是 R&S 仪器。 再说一次、I/Q 信号彼此相关。 只要您得到正确的解调、就可以安全地忽略相对关系。  

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    你好,Kang,

    我已经回复过客户、如果还有其他问题、我会告诉您。

    非常感谢。

    陈文森

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    你好,Kang,

    我们在 TRF372017评估板上以4.5GHz LO 测量 EVM、该板具有来自信号发生器的400MHz 宽256QAM 5GNR 基带信号。
    结果如下所示。



    我尝试按照数据表的第7.3.13节调整直流偏移校正功能、但它仍然没有改进 EVM。
    另一方面、我将"VREF_SEL"从 0.85V 设置为0.65V、将"TX_DIV_BIAS"从 37.5uA 设置 为50uA、将"LO_DIV_BIAS"从50uA 设置为62.5uA。
    它确实改善了 EVM 的结果、但仍具有较高的 EVM 峰值。
    根据我设置的参数、是否还有其他对 EVB 性能的影响?
    您能否就高 EVM 峰值现象提供一些建议?

    谢谢你。
    此致、
    Alan Ke

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    Alan

    [引用 userid="481529" URL"~/support/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/987659/trf372017-clock-performance-issue/3667330 #3667330"]我尝试按照数据表的第7.3.13节调整直流偏移校正功能、但它仍然没有改进 EVM。

    请告知直流偏移是否已改善。 您是来自信号发生器的交流耦合、因此此功能是校准直流失调电压的唯一方法。 您应该会看到接近80dBc 的抑制。 设置是迭代的、因此您必须尝试调节 I 侧慢速、调整 Q 侧、反之亦然、才能实现良好的抑制效果。

    如果信号发生器的输入为零、请检查信号发生器是否能够抑制图像。 它们应该能够调节 I/Q 相位不平衡、以便获得低图像功耗。 例如、您需要将 IF 移位至-100MHz 偏移、以观察图像功率。 这也将帮助您使用 EVM。

    [引用 userid="481529" URL"~/support/rf-microwave/f/rf-microwave-forum/987659/trf372017-clock-performance-issue/3667330 #3667330"]另一方面、我将"VREF_SEL"从 0.85V 设置为0.65V、将"TX_DIV_BIAS"从 37.5uA 设置为50uA、将"LO_DIV_BIAS"从 50uA 设置为62.5uA。[/QUERQ]

    这些不是直流偏移校正寄存器。 请再次查看7.3.13、以了解相应的失调电压和 Qoffset。