Thread 中讨论的其他器件: EK-TM4C123GXL、 DRV5055
您好!
假设我要使用 EK-TM4C123GXL 配置"BOOSTXL-BASSENSORS"。 如果我将磁体放置在非常靠近 DRV5055A4的位置、这是否会影响 launchpad?
谢谢。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
假设我要使用 EK-TM4C123GXL 配置"BOOSTXL-BASSENSORS"。 如果我将磁体放置在非常靠近 DRV5055A4的位置、这是否会影响 launchpad?
谢谢。
尊敬的 Mo -
DRV5055器件数据表显示、可应用的绝对最大磁通密度是无限的、因此不应被0.8T 磁体损坏。
此器件旨在用作磁场接近检测器/磁位置传感器(能够指示极性)- 您能否描述磁体形状/尺寸以及在多远的距离/您希望如何使用它? 为了获得最佳结果、该器件将需要切割磁体产生的磁通线、并且每个磁通的位置很重要、因为观察到的性能会随着磁通量的变化而变化。
例如、根据 DRV5055产品页面上的计算器、在大约10mm 的距离处使用3毫米 x 32毫米(即~1.46T)的 NdFeB 52级圆柱形磁体、在视轴上(垂直于传感器以获得最佳结果)、并使用3.3VDC 供电的器件、 传感器将看到大约7.61mT、在1mm 的距离处、它将看到~324mT 并进行复用、根据极性、输出将位于 Vcc 轨或0V、在2.75mm 的间隔距离处、该部件将输出其可能输出范围的一半、 它可以看到大约88mT。
AFAIK、这是我们提供的最大范围部件。 我将在此特定产品线中的人员进行循环/提醒、以便进一步评论或纠正此问题。
(这对您来说不会让我的最后一条评论感到困惑)在本例中、对于此 Booster Pack、我的团队(负责温度和湿度应用)创建了此板-我们在其中放置了 DRV 和 OPT 部件、因此它非常方便、并且充满了不同的传感器。
Mo、
感谢您的联系。 Josh 是对的。 0.8T 的磁场不应损坏器件。 实际上、传感器将遇到的磁场在很大程度上取决于磁体与传感器的距离。 在靠近磁体的位置、磁场强度将与距离的平方成比例地减小。 因此、除非磁体刚好位于器件顶部、否则您实际上不会达到0.8T (我假设这是表面的场强)。 磁体的形状、放置和定向方式将对您能够观察到的结果产生影响。 传感器仅检测与封装表面垂直的磁场部分。
对于 DRV5055、在3.3V 电压下运行时、最大的可用磁场范围是 A4选项。 该器件能够感应高达+/- 176mT。 这是我们线性霍尔效应传感器产品系列中目前的最高范围。 器件登录页面上的计算器应帮助您估算感应磁体的距离。 输入磁体材料和形状。 它应根据您输入的距离来估算磁通密度。
如果您需要进一步的指导、请告知我们。
谢谢、
Scott