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[参考译文] PMP23377：LMG3100s 上的不同保护电路

admin
Guru**** 2771175 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5177

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1537118/pmp23377-differing-protection-circuitry-on-lmg3100s

部件号：PMP23377
主题中讨论的其他器件：LM5177

工具/软件：

在该参考设计上、每个 GaN 的配套器件是不同的、我无法弄清原因。 我希望您能澄清为什么这样做。
DC11B 有什么用途？
为什么 QC1 在其 VCC 引脚上具有二极管和 RC 滤波器、但 QC2 在其 VCC 上具有 RCR 滤波器且没有二极管。
为什么 QC2 是唯一没有漏源二极管的 GaN。
为什么 QC3 在其 VCC 输入端有 RC 滤波器、但 QC4 只有一个旁路电容器。

谢谢您、

Leo

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    TI__Guru**** 2771175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我想跟进这篇文章,因为已经有一段时间了。

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    您好 Leo、

    对延迟深表歉意。 我们的内部线程分配系统没有为该线程正确设置组织、因此导致该线程丢失、感谢您启动第二个线程来提出该问题。

    我现在与中国台湾的工程师合作、工程师负责设计该参考设计、以便了解每个 GaN FET 的具体设计决策。 请安排到下周初进行跟进

    谢谢、
    Zach S

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    感谢您的快速答复。  

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    TI__Guru**** 2771175 points
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    您好 Leo、

    您的问题侧重于两个主要主题：VCC 二极管/CAP/res 和 SW 二极管。 我将回答这两类问题

    VCC 电路
    一些元件是之前设计中的剩余器件、在与该电路板的设计人员交谈后、我得到了澄清
    - RC11A.
    - DC11B 和 RC11B
    因此不需要这些元件、可以将其从板上移除。 但这仍然留下了另一个问题：为什么 QC2/QC3 具有 VCC 电阻器、而 QC1/QC4 没有？
    答案与压摆率控制有关。 对于 LMG3100、FET 导通压摆率通过将电阻与 VCC 引脚串联来设置。 这是 R1 和 R2 的函数。
    这些 FET QC2/QC3 是硬开关 FET（QC2 在降压模式下为高侧、QC3 在升压模式下为低侧）、这意味着压摆率控制电阻器将对压摆率产生非常重大的影响。 您可以将这些电阻器视为分立式 FET 的压摆率电阻器、因为它们具有相同的功能
    QC1/QC4 为软开关、因此压摆率在很大程度上取决于系统、而不是压摆率控制电阻器、因此不需要在此处向 VCC 添加电阻器

    SW 二极管
    这些二极管都用于帮助保护 LM5177 控制器免受过压或欠压尖峰的影响、但其中一些二极管不是必需的。
    - DC4 在降压死区时间内限制第三象限电压。 这将使 SW 节点保持~–0.7V、从而使 LM5177 控制器保持安全。 也可以在没有二极管的情况下测试电路板、并查看控制器是否能够处理更高的-ve 电压。 这是最重要的二极管。
    -      DC3 — 再次限制开关节点上相对于 GND 的-ve 电压、以保护 LM5177。 如果布局良好、则可能不需要该二极管。
    - DC1–在升压死区时间内限制第三象限电压、以限制 SW 节点电压过冲与 VIN 之间的关系。 LM5177 可能能够处理超过 VIN 的 SW。 很可能也不需要该二极管。
    - QC2 不需要二极管–对于降压转换器的高侧、没有第三象限操作

    希望这有助于弄清楚此处的设计选择。 如果您有任何跟进、请告诉我！

    谢谢、
    Zach S