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[参考译文] N 沟道 MOSFET 建模

admin
Guru**** 2771175 points

Other Parts Discussed in Thread: INA149, CSD13383F4, TINA-TI

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1113097/modeling-n-channel-mosfet

主题中讨论的其他器件：INA149、 CSD13383F4、 TINA-TI

我正在尝试为航天应用创建电池监控器参考设计。  

我想在差分放大器的输出端添加一个 N 沟道 MOSFET、以便在我不读取电压时使电路保持开路。 我在下面添加了我的电路的一个片段。 我的挑战：在 FET 处于打开或关闭状态的情况下、INA149的输出电压始终为5.2V。 我希望看到高 Z 状态 ART：当 T1打开时、Vout_4；当 T1关闭时、5.2V。

请随时提出任何问题以进行澄清。

谢谢、  

Lucas M. Pucheta

系统工程师|航天与国防

 

e2e.ti.com/.../Vbatt-Sensing-INA149-V3.TSC

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    TI__Guru**** 2771175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Lucas、

    感谢您的查询。 FET 确实没有为您做太多工作。 当它33kΩ 时、漏极和源极上的电压大约等于(0V)并且流经 R24的电流= Vout_4/μ A。 当 FET 关断时、没有电流流经 R24、Vout_4 = 5.2V。 您需要将 FET 与差分放大器的输出串联、并使输出脱离 FET 的源极。 我建议移动 R24并将其从源极连接到 GND。 由于漏极电压和源极电压在导通时基本相同、因此您必须将栅极驱动至高于差分放大器的输出。 我上拉了您选择的 FET 的数据表、它是非常旧的器件(TINA-TI 在库中有一些旧器件)。 导通电阻的额定值为 VGS = 10V、因此您需要使 VG 至少为15V、以确保其完全增强。 顺便说一下、我们在 TI.com 上为所有 FET 提供了未加密的 PSpice 模型、如果您想在仿真中使用更现代的 FET、则可以创建一个宏。 我们的任何低电压(<=30V) NFET 都应正常工作。 我修改了您的电路、使用 CSD13383F4作为 FET、并将 VG 的直流电压设置为8V。 我运行了一个直流仿真、在 Vout_4处获得7.22V 电压。 请参见随附的。 如果您有任何疑问、请给我发送电子邮件。

    谢谢、

    John Wallace

    TI FET 应用

    e2e.ti.com/.../Vbatt-Sensing-INA149-V3_2D00_1-new-FET.TSC

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    TI__Guru**** 2771175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 John、这是一个巨大的帮助。