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[参考译文] TIDA-00792：DSG MOSFET 正在燃烧

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00792, CSD19536KTT, BQ78350-R1A, BQ78350-R1, BQ76940
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1042634/tida-00792-dsg-mosfets-are-burning

器件型号：TIDA-00792
主题中讨论的其他器件： CSD19536KTT、 CSD19536、 BQ78350-R1A、 BQ78350-R1、 BQ76940

Hİ μ A  

我使用的是 TIDA-00792参考设计原理图，但我需要增大负载电流，因此我应用相同的更改，以便添加5个相关充电和放电 MOSFET 和5个相关电阻3m Ω 相关电阻。

当我在 BMS 上连接4kw 负载时、计算出的需要电流为120 amper、 对于15s1p fifepo4。在 bq studio 中、显示 ASCD 短路 保护和 BMS 关闭 DSG FET、但我的 DSG MOSFET 由于我的上行和上行延迟而燃烧时间为8us、上行延迟为最大值。  在我的设计中使用 csd19536ktt MOSFET。  

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    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Fikret：

     有3个检查区域：首先是关闭是否有效。  请参阅 AP 说明 https://www.ti.com/lit/pdf/slva729 和 TIDA-00792中的注意事项。  单个栅极路径或小电阻器中的磁珠可避免 FET 在关断时出现振荡、从而使 FET 老化。 CSD19536 MOSFET 在我们的测试中受益于磁珠。  此外、TIDA-00792使用620欧姆 DSG 通过2个 FET 来栅极电阻器、而更多 FET 的值可能需要调整。  

    第二个要检查的是 BQ78350-R1恢复条件。  ASCD 之后、量表将尝试恢复、直到达到锁扣限值。   有关设置、请参阅《BQ78350-R1A 技术参考手册》第3.6.2节"放电保护"中的短路。  恢复时间以秒为单位。 将 锁存限值保持为0应导致 ASCD 在第一次出现时锁存、从而使 FET 不发热。  计数增加可能会使 FET 在每次恢复尝试时发热、直到发生多个 ASCD 事件后才会发生故障。   

    第三个要检查的是 SCD 的反应和时序。  BQ76940架构要求电源滤波器在 SCD 事件计时期间保持工作电压。  请参阅应用手册 https://www.ti.com/lit/pdf/slua749 第3节。  电源滤波器组件较大、可在 SCD 期间维持电源电压。  较短的延迟设置将提供更大的裕度、以避免达到 VSHUT。  如果器件达到 VSHUT、则关闭 DSG 的时间可延长数 ms。  当然、请确保 SCD 电流达到 SCD 阈值、否则 BQ76940不会发生反应。