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器件型号:TIDA-01455
大家好、
你好。
在 TIDA-01455参考设计中、图10。 上的 GaN 逆变器半桥原理图(https://www.ti.com.cn/lit/ug/tidud56/tidud56.pdf ) Q10和 R61在 FET_L_W 标签中标记了 X。
在三相电机控制中断开此组件和连接的电容器的原因是什么?
此致、
卡洛
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器件型号:TIDA-01455
大家好、
你好。
在 TIDA-01455参考设计中、图10。 上的 GaN 逆变器半桥原理图(https://www.ti.com.cn/lit/ug/tidud56/tidud56.pdf ) Q10和 R61在 FET_L_W 标签中标记了 X。
在三相电机控制中断开此组件和连接的电容器的原因是什么?
此致、
卡洛
您好、Carlo、
感谢您关注 TIDA-01455。
Q10和 R61的最初想法是通过 MCU 动态更改 LMG3410的压摆率。
LMG3410 RDRV 引脚定义栅极驱动电流、从而定义压摆率。 120kOhm 将压摆率设置为20V/us。 添加并联 R61可提供大约40k 的电流、从而将压摆率更改为50V/ns。
它是 DNP、因为 TIDA-01455设计未在20V/ns 的压摆率下进行测试。
当您寻找三相 GaN 逆变器参考设计时、我建议您使用 TIDA-00915。 此设计是一种布局和空间优化型设计、
但没有隔离式电流感应。
此致、
Martin Staebler