[参考译文] PMP9522：关于电压额定值

福斯图、

我可以切换的最小直流电压是多少

由于背靠背 FET 由浮动栅极驱动电压通过变压器导通/关断、因此连接器 J1和 J2实际上没有最小电压。 交流或直流输入将具有 RDS_ON X Iout 的 FET 压降、该压降非常低、并受 Iout ^2 X RDS_ON 的限制。

如果您参考的是12V 偏置的最小电压、则该电压将限制为 FET 建议的最小栅源电压6V。

2.-要切换的最大电压来自哪里 --值(26V)--？

26Vac 的峰值电压为37Vdc。 一个 FET 通过其体二极管导通、而另一个 FET 的额定电压必须能够承受施加的峰值电压。 因此、每个 FET 必须承受交流输入的峰值输入电压。 本设计中使用了80V 最大额定 FET、因此可能 会施加更高的峰值电压。 但是、由于可能会有大量与 J1/J2串联的引线电感、如果 FET 快速关断、则会导致 FET 中出现 VDS 振铃。 为了缓解(但不能完全消除)这种情况、在两个 FET 上放置了额定电压为48V 的双向瞬变电压(D100)、并为 C2/R4设置了长时间常数(1ms)、以提供缓慢关断。 缓慢关断可降低 VDS 环电压、同时瞬变电压开始钳制在48V+以上的电压、但根据所切换的电流电平可能会振铃更高。 因此、实际上、外部参数在最大施加电压中发挥着重要作用。 对于此设计、我会将最大输入限制为小于48Vdc。

你好 John

  我在 TI 网站上阅读了另一篇关于这种开关的文章：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/industrial_strength/archive/2016/07/26/a-modern-approach-to-solid-state-relay-design

  但现在我对传导是如何完成的有疑问，根据本文，两个 MOSFET 都通过 MOSFET 本身(而不是体二极管) D-S 和 S-D 传导，但您提到一个是通过体二极管传导，另一个是通过 MOSFET 本身传导，您能澄清吗？

福斯图、

让我澄清一下。 我所指的是两个 FET 何时处于关断状态。

当 SSR 电路"导通"时、两个 FET 都导通、电流通过两个 MOSFET (而不是体二极管)。 当电路关断时、两个 FET 的栅极-源极(g-s)电压不足以使电流通过漏源极(d-s)路径。 但是、从耐电压的角度来看、体二极管可能会使其中一个 FET 的 d-s 电压下降、使另一个 FET 能够承受完整的输入电压。

在 PMP9522示例中、假设 V1是正电压(w.r.t GND)、并且 V2到 GND 之间有一个负载电阻器。 当 Q1和 Q2导通时、电流将从 V1流向 V2、V2将看到接近 V1的电压。 当 FET 关断时、Q2的 d-s 电压不能上升到高于二极管压降、否则它将开始通过其体二极管导通。 这就是我在之前的答复中所提到的。 这使得 Q1的 d-s 能够承受整个输入电压。

如果 V1为负电压(w.r.t GND)、且 FET 关断、则会发生相反的情况。 Q1的 d-s 电压必须较低(否则体二极管导通)、而 Q2的 d-s 电压必须能够承受最大负电压。  

随附了一个 TI TINA 仿真模型、该模型将在 FET 导通后关闭的情况下运行几个交流周期。 此时、您可以看到每个 FET 只能承受1/2的交流周期、如上所述。

希望访问 helps.e2e.ti.com/.../SSR1.TSC