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[参考译文] TIDA-010074：MOSFET 额定电流和 SOA

admin
Guru**** 1144270 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT, TIDA-010074, BQ76200
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/901884/tida-010074-mosfet-current-rating-and-soa

器件型号：TIDA-010074
主题中讨论的其他器件：CSD19536KTT、 BQ76200

您好；

TIDA-010074使用了"CSD19536KTT" 三 个 N 沟道 MOSFET、100V、200A。该文档说明它可以处理72V 和 30A 的放电电流。 我的问题是，如果我们看看 MOSFET SOA，那么该电压下的最大电流为1A。 如果我们使用公式"Trise/(VDS*Rth)"，我将得到6.25A ，如果我们在 SOA 曲线上标记此 VDS 和 ID，则点位于直流线之上。 这意味着、如果我们需要相同的电流、则 VDS 需要降至接近20V。 因此、您需要知道这个30 A 的数字来自何处、每个 MOSFET 分支的电流为10A。

谢谢你。

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    Peeyush、您好！

    感谢您关注 TI FET。 我关闭了重复的 e2e 帖子。 在放电期间、放电 FET 将导通并完全增强。 因此、并联 FET 上的电压将非常小、我们不会像担心 SOA 那样担心。 FET 导通时、由于导通损耗(I2R)而产生的自发热是最大的问题。 SOA 在开通和关断期间成为一个问题、器件会通过阻断电压转换为传导电流、反之亦然。 开关时间由使用 BQ76200驱动器 IC 的外部驱动电路决定。 我将在下面提供有关 SOA 和 MOSFET 开关时间的博客链接。 我没有直接参与此参考设计、我会将此参考设计提交给进行实际设计的团队、以进一步解决您的问题。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-5-switching-parameters

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    感谢您的回复。 也就是说、我只需要在开关损耗持续的转换区域检查 SOA。在这些损耗期间、SOA 不需要与 PD 线路粘接。换句话说、对于由(Trise=IDsVD*Rth)计算的安全电流、电压需要下降、以便这样做 不会违反 SOA 区域

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    您好、Peeyush、

    正确。 电池应用使用 MOSFET 作为负载开关。  当打开时、问题通常是通过 RDSON 的电流产生加热。 关断时、问题通常是额定电压。  在开关期间、电压将上升或下降、而电流也会变化。  您希望开关时间在器件的 SOA 限制范围内、而不是如此快地激发系统中的电感、从而可能产生电压尖峰并导致某些东西中断。   如果 FET 在关闭时已经因运行而变热、则其容差可能会降低、请参阅参考 John 发布的和其他 MOSFET 信息。