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[参考译文] TPS7A03：TPS7A0333PDBVR 具有泄漏电压

admin
Guru**** 2391365 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7A03, TPS737, TPS7A45

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/947513/tps7a03-tps7a0333pdbvr-have-leakage-voltage

器件型号：TPS7A03
主题中讨论的其他器件： TPS737、 TPS7A45

尊敬的先生/女士：

我对 LDO (TPS7A0333PDBVR)调节至3.3V 有一些问题。 您能否从所附文件中看到电路。

我通过在 C 点发送高电平逻辑来关闭 P-MOSFET、并通过一个点将电池连接在0.05V 左右(插入到 HOLE3和 HOLE4之前进行测量)、但当我尝试在某个点进行测量时、电压介于2.1V 之间(通过 LDO 输出到中的 LDO)。

那么、请建议您使用以下电路、如何改进这种方法？ 以及为什么电压泄漏流经 MOSFET (我关闭 MOSFET)和 LDO？

 

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    TI__Guru**** 2391365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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    TI__Guru**** 2391365 points
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    Nonthaphat 您好！

    当 Q101栅极被拉至高电平时、PFET 被关闭、然而3.6V 电源流过二极管 D1并流过 Q101的体二极管。  TPS7A03没有反向电流保护、因此任何施加到 LDO 输出端的预偏置都将通过内部导通元件的泄漏路径为输入电容器充电。  

    如果您需要具有反向电流保护功能的 LDO、请告知我们您的设计要求(输入电压、输出电压、输出电流、温度范围以及您希望我们考虑的任何其他特定要求)。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    TI__Guru**** 2391365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Stephen Ziel、

    当3.6V 点电源时、

    3.6V 点：3.6V

    输出电流(3.6V 点)最大值：50mA

    VCC：3.3V

    V GATE (C 点)：3.3V (高电平)

    当3.6V 点不提供3.6V 时、

    VIN (A 点)：3.6V

    输出电压(B 点)：3.3V

    VCC：3.3V

    V GATE (C 点)：0V

    最大输出电流(B 点)：20mA

    温度范围：-40 - 70 C  

    非常感谢您的支持、

    请注意、

    非特哈特

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    TI__Guru**** 2391365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Nonthaphat，

    请尝试查看 TPS731xx、TPS732xx 或 TPS736xx、它们看起来是您设计的直接替代产品。  由于低压降电压较低、我可能会首先选择 TPS731xx。  其他选项包括 TPS737和 TPS7A45。

    此外、您可能希望修改电路以移除 Q101体二极管路径。  您可能希望在 LDO 的 EN 引脚上放置一个 N 沟道 MOSFET、而不是像原理图中所示那样放置一个 PFET (Q101)。  使用较大的电阻值、例如从 Vin 到 Ven 的10k 欧姆电阻、然后将 NMOS 的漏极置于 Ven 上、NMOS 的源极置于 GND 上。  然后、当您希望通过其他电源为"输入 MCU"供电时、可以命令 LDO 开启和关闭。  

    谢谢、

    斯蒂芬