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[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] PMP21479：在有源钳位反激式中使用氮化镓(GaN)与硅(Si) FET 之间有哪些权衡？
在有源钳位反激式中、初级 FET 的输出电容是限制最大开关频率的主要因素。 GaN FET 具有比 Si FET 更低的输出电容、裸片尺寸和导通电阻相同。 因此、与 Si FET 相比、GaN FET 可实现更高的开关频率。 开关频率越高、变压器越小、总体设计就越小、功率密度也就越高。 但是、在市场的当前状态下、GaN FET 比 Si FET 更昂贵、并且几乎没有太多可供选择的器件。 选择基本上归结为成本与尺寸。 通过拉高或低“SET”引脚，UCC28780有源钳位控制器可轻松配置为 GaN 或 Si FET。 此外、LMG3411R150是一款150毫欧的 GaN FET、可用于有源钳位反激式应用。
