[参考译文] TIDA-00281：想了解功率级设计的详细说明

您好、Abhi、

感谢您关注 TI 产品。 我是支持 UCC27201A 的 AE、将解答您的问题。

在大多数情况下、MOSFET 是根据功率耗散和热考虑而选择的。 在几乎所有情况下、器件的额定电流都远高于应用中的额定电流。 假设直流操作情况下 TIDA-00281文档中指定的最大电流为30A、CSD19535的最大 RDSON 为3.24W、就会导致功率耗散。 MOSFET 看起来是表面贴装的、这会限制功率耗散能力。

RCD 缓冲电路的功能是限制由开关节点寄生电感或泄漏电感中存储的能量引起的开关节点上的电压过冲。 这种类型的缓冲器广泛用于反激式转换器、原理是相同的。 流经电流的寄生电感中的能量传输到 RCD 缓冲器中的电容器、以限制电压峰值。 Ridley Engineering 的应用手册位于：http://www.ridleyengineering.com/images/phocadownload/12_%20flyback_snubber_design.pdf

确认这是否回答了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

Richard Herring

您好 Richard、

感谢您的回答。 这让我对 MOSFET 选择有了很好的了解。

根据您的答案、您告诉过 MOSFET ID 额定值必须非常高、高于应用电流。

但是、您的答案不能证明您是如何实现197安培的 MOSFET ID 额定值的。

如果您显示一些计算结果或流程、以便您为1KW BLDC 电机应用选择此 ID 为197A 的特定 MOSFET、这将是一个不错的选择。

谢谢、

Abhi

您好、Abhi、

感谢您的回答。 我不认为30A 最大工作电流与器件的133A 额定值(在100摄氏度时)之间的关系是考虑的参数。 应用电流远低于器件额定值。 正如我在上一篇文章中提到的、主要设计注意事项将是工作电流、MOSFET 的 Rdson 以及由此产生的功率耗散。 在终端应用中、这些因素以及散热和气流将决定器件的热阻和温度上升是否超过环境温度。

请确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

Richard Herring

您好 Richard、

感谢你的帮助。

我知道 MOSFET Id=133A @Tc=100deg 不是需要考虑的参数、我们必须考虑 RDS (on)和器件功率耗散。

实际上、我很想知道如何为应用选择特定的 MOSFET。

假设我正在为电动自行车设计 BLDC 驱动器功率级。 它包含三相250W BLDC 电机、我希望使用60V 直流电池电源运行。 此外、我不想使用任何散热器、也不想将环境温度保持在30度- 40度之间。

对于上述应用、我将如何选择 MOSFET？ 请分享一些详细的计算和选择流程。

谢谢、  

Abhi