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[参考译文] TIDA-00774:在每个逆变器桥臂上放置2个2.2uF 分频器的原因是什么

Guru**** 1127450 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00774
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/634522/tida-00774-what-is-the-reason-for-placing-2-2-2uf-decaps-across-each-inverter-leg

器件型号:TIDA-00774

大家好、

最近、我使用 DRV8323RS 设计了一个原型、并将 TIDA-00774评估板作为参考。 我对每个逆变器桥臂上的两个十分频器的功能有疑问。

我不知道为什么我们需要这些贴图。 如果我们希望具有相对常数 PVDD、则 PVDD 和 GND 之间的衰减更合理。

到目前为止、我的解释只是、它用作缓冲器来抑制开关电流。  

有人能帮我解决这个困惑吗? 提前感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Long、

    PVDD 和 GND 之间的分频仅有助于 PVDD 电源滤波。 每个逆变器桥臂上的衰减有助于实现干净的 FET 开关、同时降低电压尖峰或振荡。 低侧 FET 的共源极电感由电流感应电阻器和低侧轨道贡献、这是一个常见问题、它可能会在低侧 FET 的源极引脚上产生开关振荡、从而进一步在栅极电压和 VDS 中产生振荡。  在这里、PVDD 和 GND 上的衰减没有帮助、因为这些电容交流电流环路包括感应电阻器、因此具有高共源电感。 因此、建议在每个逆变器桥臂上使用一个小值电容器、以获得最佳性能。 该值可能非常低(10nF)、但放置至关重要。 它应该是直接的、并且靠近 FET。 需要注意的一点是、该电容器将稍微滤除分流电阻器中出现的峰值电流。

    谢谢、此致、

    制造商

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    您好、Manu、

    感谢您的解释。 我会使用具有其他值的衰减,例如10nF 或更小的衰减,以检查其性能。 我将开关 MOSFET 至少20kHz、最高100kHz。