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[参考译文] TIDA-00281：1kW 控制器设计

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00281, CSD19535KTT
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/712282/tida-00281-1kw-controller-design

器件型号：TIDA-00281
主题中讨论的其他器件： CSD19535KTT、 CSD19535

1kW BLDC 控制   器(TIDA-00281)参考设计为初学者和专家提供了出色的信息。 这对于那些渴望了解控制器的人来说将更加有用。

SIR 对安装在 PCB 上的 MOSFET (连接在 PCB 上的散热器)有疑问。 MOSFET 的漏极位于 FET 的背面、因此 FET 需要单独使用散热器。 因此、在 TIDA-00281设计中(如下图)、散热器安装在 PCB 上、足以支持1kW 控制器。 您能否发送 PCB 背面的一些参考设计。 (散热器设计)

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Bud、

    感谢您询问本 TIDA 并分享您对报告的看法、我同意您的观点！

    我有点困惑、因为我在 TIDA 中看不到您提到的散热器、当我在 TIDA 中搜索时、没有提到过散热器。
    您是否担心 FET 或驱动器上的功耗？ 如果担心驾驶员超出操作温度、请查看 www.ti.com/.../slua618.pdf 的第2.7节

    您期望 FET 上的功率是多少？ FET 的 Rdson、峰值电流和开关频率将决定 FET 中耗散的平均功率、因此您可以估算散热器需要吸收多少功率、以使 FET 的结温保持在极限值。

    谢谢、
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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢主席先生的回答，是的，我担心 FET 的功率耗散。
    我计算了 MOSFET 的损耗(CSD19535KTT)、
    48 v 30安培和10 kHz 条件下的主要损耗
    导通损耗= 1.3W (最小值)
    开关损耗= 1.4W (最小值)
    因此、在2.7W 的功率下、FET 将消耗167°C (大约)的功率。
    我的上述假设是否正确？ 主席先生、否则请纠正我的问题。
    我的问题是，TIDA-00281中使用了任何热量，或者它们将散热器安装在 PCB 本身上(如上面所附的图像)。
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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    耳塞、

    TIDA-00281电路板上没有分立式散热器；MOSFET 具有较大的散热焊盘、如您照片中所示的器件。  您可以在 TIDA-00281网页的"设计文件"部分找到电路板背面的信息。  

    根据您的计算结果、我认为您将 Theta (JA)用于从结点到环境温度的热阻62C/W  随着器件连接到更大的电路板面积、该电阻会变小(散热性能会有所改善)。  如果您查看  KTT 封装(CSD19535数据表第8页)周围的最小电路板尺寸、器件下方至少有100mm2的面积。  下图显示了热阻如何随电路板面积的增加而减小。  因此、TIDA-00281的布局在 MOSFET 结和电路板之间具有较低的热阻。  TIDA-00281设计指南中提供了多个热感图像、这些图像显示了各种工作条件下的结果。

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回复、先生、
    对于100mm、θ 值为43C/W 因此、MOSFET 中2.7W 的功耗将是、
    T = theta*输出电容+ 25°C
    = 43* 2.7 + 25
    = 139.1 C
    先生、对吧。
    如果是这样，139摄氏度  对于 MOSFET (CSD19535)是否良好？

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您在该方程的中间从温度切换到功率。  

    使用上面显示的值、结温约为141°C、低于晶体管的绝对最大结温 (请 参阅 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19535ktt.pdf)。

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    主席先生，很抱歉，谢谢你的回答。 我错误地提到了瓦特而不是摄氏度。 我更正了上述帖子。
    FET (CSD19535KTT)的绝对温度为175°C、对于100mm 面积、我们发现139°C。对于 FET 而言、这么大的热量是否合适？ 。 或者我的以下计算错误
    T = theta*输出电容+ 25°C
    = 43* 2.7 + 25
    = 141.1 C

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    TI__Guru**** 2382480 points
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     43 C/W

     x 2.7 W

    = 116.1 C 上升

     + 25.0 C 环境温度

    = 141.1 C 结温

    因此、如果环境温度为25°C、FET 的结温将约为141°C、远低于该器件的绝对最大额定值。

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    好的、先生、谢谢