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[参考译文] TIDA-01605：TIDA-01605

admin
Guru**** 2765865 points

Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/716458/tida-01605-tida-01605

器件型号：TIDA-01605
主题中讨论的其他器件：ISO5852S-Q1

你(们)好

-为什么仅在底部开关上实施两级关断？ 是否无需对两个开关进行两级接通？

-您是否使用 了750342879变压器(Altium 中的设计项目)或 750343725 (Altium 中的器件型号)

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    TI__Guru**** 2765865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rolf、

    两级关断功能可在两个 SiC 开关都导通时实现直通保护。 原则上、一侧的机具就足够了。 将其同时安装在两个器件上会显著增大电路板尺寸。  

    使用750343725。 请参阅随附的数据表、Wurth 的联系工程师为：

    Swaroop Vaidyanath

    Swaroop.Vaidyanath@we-online.com

    e2e.ti.com/.../750343725.pdf

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    TI__Guru**** 2765865 points
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    您好 Xun、

    非常感谢您提供的信息。 因此、该电路只是一种击穿保护、在电机绕组对直流短路时不会保护半导体。 对吧？
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    TI__Guru**** 2765865 points
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    您好、Rolf、

    根据我的理解、您可以交换栅极驱动器输出、以便为高侧开关提供保护。 UCC 栅极驱动器是对称的、因此您可以将 G2 S2连接到高侧 MOSFET。 然后、它可以保护电机绕组对直流短路-
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    TI__Guru**** 2765865 points
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    谢谢、但如果我这么做、底部开关将不会受到直流+短路保护。 我不需要击穿保护。 我需要在相位对 dc+或 dc--短路的情况下对两个开关进行保护
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    TI__Guru**** 2765865 points
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    您好、Rolf、

    了解。 在这种情况下、您也可以复制并应用相同的高侧保护电路。 或者、如果您使用 IGBT、您可以查看我们集成了 DESAT 保护功能的隔离式栅极驱动器 ISO5852S-Q1。