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[参考译文] TIDA-01064:有助于了解参考设计中功率 MOSFET 之间的 GND 连接

Guru**** 1192260 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01064, TIDA-00751
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/930741/tida-01064-help-understanding-gnd-connection-between-power-mosfets-in-reference-design

器件型号:TIDA-01064
主题中讨论的其他器件: TIDA-00751

我需要帮助以基本了解 TIDA-00751和 TIDA-01064中的功率 MOSFET 之间存在接地连接的原因。  

在我看来、当 MOSFET 导通时、两个 MOSFET 之间会直接对地短路。 我确定情况并非如此、但我似乎无法弄清为什么它不会立即接地短路。

谢谢、

Sam

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    尊敬的 Sam:

    感谢您的查询。 我没有直接参与其中任何一个参考设计。 我将进一步研究、并在我有更多信息时向您回复。

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    尊敬的 Sam:

    对于 TIDA-01064、电路采用图腾柱无桥 PFC 配置、功率 FET 的开关方式如以下链接中文档第1.2节所述。 此开关方案可避免任何击穿或接地短路。 在 TIDA-00751 (隔离式 SPST 固态继电器)中、FET 采用背对背通用源配置、并可同时导通和关断。 它们的栅极端子与源极端子连接在一起、这意味着两个器件的 VGS 相同。 共源极端子未连接到 GND。 背靠背配置意味着在两个 FET 的体二极管关断时都不会有电流流流过。 当 FET 导通时、电流将流经两个器件流向连接在电路板上 J5端子块上的负载。