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[参考译文] 电源管理论坛

Guru**** 2368780 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17483F4, CSD13306W, CSD25310Q2, CSD13380F3, TINA-TI
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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1313788/power-management-forum

器件型号:CSD13306W
主题中讨论的其他器件: CSD25310Q2、CSD17483F4、 CSD13380F3TINA-TI

在随附的图片中、CSD13306W 是 NMOS 模型、CSD25310Q2是 PMOS 模型。 PMOS 开关处于 SSR 配置。 该电路为使用 NMOS 开关在 SSR 配置中触发 PMOS 开关。 在电芯3的一行、NMOS 的 VGS 的电压图中会出现瞬态尖峰、尽管这些瞬态处于 UV 中。 还附加了图形 。 此外、如果调整 PMOS 旁边的电阻以将通过 PMOS 的漏极电流提高到5A、则不会出现此类瞬 态。在其他行中、VGS 不是1.5、无法观察到任何瞬态。 当 Vgs 为1.5V 时、NMOS 的 Vgs 图中这些瞬态背后的原因是什么?

 通过电芯3的 NMOS 生成的 VGS 图

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    您好 Anisha:

    感谢您关注 TI FET。 我不熟悉此类应用。 这用于电池单元平衡吗? 从图中可以看出、电池1和3中 NFET 的 VGS 在导通后驱动至1.5V。 同样、电池2和4中 FET 的 VGS 在其开启时被驱动至1.8V。 这两个电平都介于数据表中指定的最大 VTH (1.3V)和最小 VGS (2.5V)之间、其中指定了导通电阻。 我认为振荡可能是因为 VGS = 1.5V 更接近最大 VTH、这可能会在仿真中引起一些振荡。 当 VGS = 1.8V 时、振荡会消失、因为它离 VTH 更远。 为了保证 NFET 在 VGS 上完全运行、必须>= 2.5V。 否则、FET 工作在 RDS (ON)与 VGS 曲线的陡峭部分、如数据表第1页所示。 栅极驱动电压、VGS 和/或阈值电压 VTH (由于正常工艺变化)的微小变化可能会导致 RDS (on)发生很大的变化。

    由于您只能使用1.8V 的电压、因此我建议查看导通电阻额定值为 VGS = 1.8V 的另一个 NFET、例如 CSD13380F3采用 FemtoFET F3 LGA 封装的12V NFET 或 CSD17483F4、采用 FemtoFET F4封装的30V NFET。 请注意、这两个器件都集成了单端栅极 ESD 保护二极管。 注意不要将 VGS 驱动为负、以防止正向偏置二极管。 如果可以、请调整栅极和栅源电阻器值、以使最小 VGS = 1.8V。

    最后、您在使用什么仿真工具? 如果是 PSpice 或 TINA-TI、您可以分享一下、以便我来看一下。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    感谢您的回复。 是的,你是正确的,它是为电池平衡. 我已经连接了 SPICE 电路的链接。 我还问了一个问题、 如果将 PMOS 旁边的电阻、比如电池3的一行、调节为0.93、为什么看不到这样的瞬态? (三× 1.8~0.7 /5)欧姆和其他行的电阻也相应地调整,使通过 PMOS 的漏电流提高到5 A ,尽管 NMOS 的 VGS 仍然相同。 此外,使用你建议的 n-MOSFETs 没有影响振荡问题.  

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/234/Draft_5F00_afe.zip

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    您好、Anisha、

    感谢您的更新。 此时、对于 PMOS 电流为5A 而 NMOS 的 VGS 保持不变时为什么没有振荡的问题、我无法回答。 我不确定如何打开仿真(.asc)文件。 您正在使用什么仿真工具? 我有 PSpice 和 TINA-TI。

    此致、

    约翰

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    也就是 LtSpice 工具。 我现已附上有关在 Tina -TI 工具上完成仿真的链接。 我希望您已经了解了 电路的概念。 此外、在 TINA-TI 工具中出现一个错误、名为"未找到工作点"。 我已经尝试 找到这个错误的解决方案. 但是,我不能找到它。  因此,连同振荡问题,如果你也看看这个问题将是伟大的。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/234/AFE_5F00_sch.TSC

    另外还有一点需要添加,我们必须打开两个连续的行,以便对一个电池单元进行充电或放电。 对于 cell2,我们必须同时翻转 cell 1行和 cell 2行,NMOS 的 Vgs 都是1.8和3.6,而对于 cell3,则是1.8和1.5。 如果是 CELL2、则没有振荡、但对于 CEL3、NMOS 中的振荡 Vgs 为1.5。  

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    您好、Anisha、

    我能够下载 TINA-TI 仿真。 当它检查我纠正的接线时、出现了几条警告。 您能告诉我您用于获取先前分享的波形的分析类型和条件是什么吗? 我不确定自己要找什么。

    谢谢。

    约翰

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    您好、John:

    感谢您更正我的电路。 我不确定 TINA-TI 是否会给出与 LtSpice 一样的结果。 但在纠正连接后,"未找到操作点"错误仍在出现。 当我尝试使用不同的 NMOS 模型(2N6755)来代替 T4、T8、T12、T16并进行直流分析时,节点电压不是正确的。 这些 n-FET 无法仅导通。 我不知道为什么这个问题现在出现. 我也附上了链接。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/234/1220.AFE_5F00_sch.TSC

    此外、我用于获取波形的条件是通过将直流电压源保持在12V 来打开电芯2行和电芯3行、然后 NMOS (电芯3行)的 Vgs (1.5V)图中会出现振荡或瞬态。

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    您好、Anisha、

    我正在按原样使用仿真文件。 我可以运行直流分析来计算节点电压和瞬态分析。 我不确定我要找什么。 VS1 & VS2 = 20V 以及 VS3和 VS4 = 0V。 我会尽我所能为您提供帮助、但不确定如果我无法复制振荡、我是否能做得太多。 这是否会导致您的系统出现问题?

    谢谢。

    约翰

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    您好、John:

    是的,振荡是一个问题,如果它正在发生,我想知道背后的原因,还有在 TINA TI 还有一个问题,为什么 NMOS 模型(2N6755)不能打开.

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    您好、Anisha、

    我无法获得任何有用的结果、也无法回答您关于2N6755型号的问题。 这是一个非常旧的 FET、该模型包含在库中。 它并非由 TI 创造。 很抱歉、但我认为我无法帮助您通过仿真解决问题。

    此致、

    约翰