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[参考译文] LM5148:LM5148

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5148, LM25148
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1419945/lm5148-lm5148

器件型号:LM5148
Thread 中讨论的其他器件: LM25148

工具与软件:

您好、TI

LM5148的数据表的表9.1显示了 最大程度降低 MOSFET 功率损耗的常用公式

但是电子表格 "LM5148_LM25148_quickstart_calculator_A4"并未使用 这些参数。

对于 exsample、  MOS 的"开关损耗"公式给出了 MOSFET 的 参数 TR 和 TF。

此参数是典型方法。

如何测量?

使用 webench 进行仿真时、webench 推荐了 MOS 和仿真结果来说明 MOS 损耗。

我尝试将 webench 建议的 MOS 参数填入电子表格。
电子表格的结果与 webench 仿真的结果不匹配。

如何测量?

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    您好!

    MOSFET 开关时间在快速启动文件中内部计算。 实际上是 SW 电压和电流的上升/下降时间、分别与高侧 MOSFET 的 Qgd 和 gm 有关。

    此致、

    TIM

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    您好、Tim

    我的问题是如何解决公式与电子表格结果不匹配的问题?
    例如、电子表格的结果显示了功率损耗曲线。
    但是通过数据表中的公式获得的结果并不一致。

    数据表建议使用公式 tr/tf 进行计算、但电子表格没有建议。 如您所述、电子表格使用 Qgd 和 gm 进行计算、但结果不同。

    似乎无法使用 MOS 中的电子表格计算结果。

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    尊敬的 Yu-Cheng:

    快速入门使用数据表中的表达式。 请发送您的快速入门文件以供审核。

    此致、

    TIM