[参考译文] CC1312R：闪存写入/NVSCC26XX 驱动程序相关问题

你好，Dimitar

TRM 试图指出，一个操作(在 HW 中)最多可以写入64位。

ROM 代码和闪存 IP HW 可以写入最少1个字节，用户可以指定要编程的字节数，闪存 API 可以确保在 HW 中执行所需的写入操作数。

请注意，在必须擦除包含该行的闪存扇区之前，可以写入闪存行的次数有限制。 数据表中给出了扇区擦除前每行的最大写入操作数。

不需要从应用端对齐。

巴西

西里

你好，Dimitar

我再次不得不咨询研发部门，他们的回答如下：

当客户使用 NVS API 时，客户只提供闪存起始地址和要编程的字节数。 在 ROM Flash API 内部，ROM Flash API 将确定需要多少闪存写入。

例如，对于写入闪存的2字节，有两种可能性。

1. 如果加亮地址+ len (字节数)为单行， 则只需要写一个快擦写。
2. 如果起始地址+ len (字节数)跨越行边界(您的示例)，ROM Flash API 将使用两个写入。 一个写入值是1字节。 第二个写入将在下一行显示1个字节。  

另一个例子是，如果客户想要写入20字节以进行闪存，下面是闪存写入的可能性(内部闪存 API)的数量。 这取决于闪存启动地址。

1. 8字节+8字节+4字节 è 3个闪存写入(内部)
2. 4字节+8字节+8字节 è 3个闪存写入(内部)
3. 2字节+8字节+8字节+2字节 è 4个闪存写入(内部)

无论如何，如果客户使用 NVS 闪存 API，则调用一个 NVS 闪存写入 API，内部 ROM 闪存 API 将分解为多个闪存写入操作。

希望这能回答您的问题。

巴西

西里

你好，Dimitar

我现在要离开度假，所以请您在新的主题中发布最后一个问题，该问题将分配给我团队中的其他人，由他们跟进。

巴西

西里