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[参考译文] CC1125:在新的电路板批次中过于偏离

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1125
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1123730/cc1125-frecuency-too-deviated-in-new-batch-of-boards

器件型号:CC1125

大家好、

我们使用的 CC1125具有很好的结果,已经在最后一批电路板上进行缓冲。反效果已经大大偏离了:我们使用了正常通道0,从869.390MHz 开始,现在是869.366 MHz 最后一批。

我们使用 EPSON 的 FA-128 40.0000MF10Z-K3作为时钟参考、但我们怀疑它可能是虚假的部分、因为如果我们将晶振从之前的版本切换到这个版本、它在869.392下工作、这是非常可以接受的、并且进入通道空间(我们使用窄带25KHz 间距)。

观察示波器、我无法看到时钟信号之间存在任何明显的差异、两者都是40MHz、但假设误差为10ppm、是否可以在示波器中看到?

如果有任何其他想法、我们会很感激、因为该系统可以正常工作、而且它是一种商业产品、有期限。

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    您好!

    如果两个晶体之间存在24kHz 偏移、则会导致窄带 PHY 出现问题。

    对于新晶体,您是否可以使用新的负载电容器值来补偿频率差?

    我假设两个晶体具有相同的负载电容要求、但听起来可能存在一个增量。

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    n´t 这确实会导致问题、但它根本不起作用!我们将尝试使用新电容器、但我正在考虑使用 CC1125的频率偏移寄存器。问题是代码是由最近完成的  

    总之、我们正在使用的其他理论是、晶体可能是假的、超出容差范围。

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    您好!

    动态电感是一个重要参数。 这并不总是在一个晶振的标准数据表中指定的。 随负载电容变化的动态电感规格。

    如果您认为新晶体是假的 Epson 晶体、我会直接联系 Epson。

    我们通常查看晶体的以下参数:

    晶体数据表参数
    最高温度°C
    频率、MHz
    频率容差(25°C 时的变化)、ppm
    频率稳定性、ppm
    老化、寿命
    CL、pF
    RM 最大值、欧姆
    C0、pF
    LM、MH