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[参考译文] CC430F5137:2pF 射频去耦电容器

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1101

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1024811/cc430f5137-2pf-rf-decoupling-capacitors

器件型号:CC430F5137
主题中讨论的其他器件:CC1101

你(们)好。

我们的无线电系统由于谐波而未通过 ETSI EN 300 220测试、即3472MHz 下的4次谐波过高。

如果我通过电缆测量谐波、一切都很好、数据表原理图中建议的带通滤波器也很好地发挥了作用。 但是、如果我通过天线进行测量、谐波会变得更高。 我认为这是因为天线及其阻抗匹配在3472MHz 时不是50Ohm (但在868MHz 时当然是50Ohm)。 我没有成功地更改带通滤波器以改进任何谐波。

但是。 我发现、如果我增大这些低值去耦电容 C2/C6的值(请参阅2018年第110-111页的数据表中的原理图)、谐波会变得更好。 我发现的理想值为4.7pF (有关测量的谐波与电容值的关系、请参阅下图)。
但这些电容器建议为2.0pF!!  在我看来、这在 PCB 寄生效应范围内是一个相当低的值。 遗憾的是、我找不到 CC430的任何布局建议。 仅适用于 CC1101、与 CC430相比、它的封装和引脚有点不同。

那么、现在我的问题是:如果我将这些电容器值从2pF 增加到4.7pF、会怎么样? 是否会有任何不良的副作用?

谢谢你

更多背景信息:

-我们成功地使用 CC430已经好几年了。 我不得不对我们的一款产品进行一些设计更改、这显然会导致更高的谐波。 如果可能、我们不想再次更改布局、而是通过更改汇编来衰减谐波。

-考虑了 RF 布局实践、并考虑到了尽可能靠近 IC 的电容、下面一层的 GND 层、50Ohm RF 线... 等等...

-我们使用的是高频电容器(Johanson S 系列)

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    去耦电容器的值取决于 布局/设计。 这意味着对于不等于参考设计的设计、可能需要更改一些去耦。

    -我建议使用新的电容值运行传导测试、并检查所有谐波(还查看整个频谱以验证是否有任何杂散)、以查看新的电容值是否导致了变化。 辐射测试也是如此。 如果这两个测试均正常、则新值应为 OK。  

    -使用天线与频谱相比、谐波增加是很常见的。 对于所有频率、频谱通常为50欧姆、天线的带宽通常仅为50欧姆。 因此、PA 输出将看到谐波的负载稍有不同、某些谐波可能会上升。   

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    因此、您基本上确认了我自己对要做什么的考虑和计划。
    谢谢你。 我将继续...