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[参考译文] CC1101：CC1100与 CC1101输出功率差异

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1101, CC1100

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/744718/cc1101-cc1100-versus-cc1101-output-power-differences

器件型号：CC1101
主题中讨论的其他器件： CC1100

我与一位正在准备使用 CC1101 (从 CC1100升级)对产品进行监管测试的客户合作。   

DN009“从 CC1100升级到 CC1101”状态为“CC1100可由 CC1101替代而不更改寄存器设置”。  基于此、我计划对两者使用相同的代码。  但是、我想检查 DN012和 DN013中的电源表设置、因为我们为测试机构提供了各种要尝试的值。  对于相同的寄存器设置、功率级别不同。  我们一直使用0x8A、在915MHz 下 CC1100为2.6dBm、CC1101为1.8dBm。  868MHz 时、CC1100为3.0dBm、CC1101为2.1dBm。  保持相同的值是否会对新芯片使用的范围或功率产生重大变化？

谢谢、

Stuart

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您测量了多少个芯片的输出功率并进行了比较？ 这会有一些芯片间差异、因此您无法直接比较一个 CC1100和一个 CC1101 (或一个 CC1101与一个 CC1101之间的输出功率)、因为在最坏的情况下、一个单元可能具有最大功率和另一个最小功率。
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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    未测量芯片。  这个问题基于设计说明 DN012和 DN013中电源表的功率列中的规定值。  对于相同的寄存器设置、CC1100和 CC1101之间的这些不同。  设计说明 DN009指出、两个器件可以使用相同的寄存器设置、但如果完成此操作、功耗似乎会有所不同。

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我认为差异是由于 BOM 而不是芯片造成的。 如果您查看 CC1100和 CC1101的868-915 M 的原理图、第一个使用 LQG 和第二个 LQW 电感器。

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我还需要知道 CC1101的性能是否会与具有相同寄存器设置的 CC1100不同。 或者、我是否需要更改寄存器设置以使功率值匹配？
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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    否、请使用相同的设置。 PA 的输出级在 CC1100和 CC1101之间没有变化。