工具与软件：
尊敬的 TI 专家：
当我在待机模式下使用 CC1310时, VDDR 去耦电容为10uF，VDDR 电压将受到外部电磁干扰,电压将降至0V , MCU 死机,需要复位。
所以我在待机模式下测试 VDDR 可能最大输出50uA ,当负载超过50uA 时, VDDR 将下降到0V , MCU 停止工作。
VDR 电压开始波动、当我将负载增加50 μ A 时。
当电流超过50uA 时,VDDR 电压会降至0V。
所以、如果我想提高 VDDR 负载电流、我认为抗干扰能力更强。
如何设置 VDDR 寄存器？ 您能否帮助提供设置 C2 [23：20]、C1[19 ：16]、MAX_PER_M [15：11]、MAX_PER_E [10：8]、PER_M[7：3]、PER_E[2]的方法？
非常感谢。
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寄存器(RECHARGECFG) |
参数值 |
描述 |
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ADAPTIVE_EN [31] |
1 |
启用 自适应 再充电 |
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C2 [23：20] |
0x0A (TI 默认值) |
自适应 再充电 算法的增益系数 period_new=period * ( 1+/-(2^-C1+2^-C2)) C2的有效值 为 2 到 10 |
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C1[19:16] |
0x04 (TI 默认值) |
自适应 再充电 算法的增益系数 period_new=period * ( 1+/-(2^-C1+2^-C2)) C1的有效值 为 1 到 10 |
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MAX_PER_M [15：11] |
0x1C (TI 默认值) |
这个 寄存器 定义了 再充电 算法 可以 花费的最大 周期、也就是说、它定义了 2次 再充电之间的最大周期数量。 最大 周期数 由 5 位 尾数 和 3 位 指数指定： MAXCYCLES=(MAX_PER_M*16+15)* 2^MAX_PER_E 该 字段 设置 MAXCYCLES 的尾数 |
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MAX_PER_E [10：8] |
0x07 ( 默认值主页) |
该 寄存器 定义 充电可充电的 所 需的 最大 周期数、即它定义了 两次 再充电之间。 周期的最大数量 由 5 位 尾数指定 和 3 位 指数： MAXCYCLES=(MAX_PER_M*16+15)* 2^MAX_PER_E 该 字段 设置 MAXCYCLES 的指数 |
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per_m[7：3] |
依据MCU芯片出厂参数设置计算 |
再充电 控制器激活之间32KHz 的时钟数量 对于 再充电 算法、 周期 是 输入周期时的初始周期 断电 模式。 自适应 再充电 算法 不会随着 该 寄存器 周期 实际上将 是 在 5 位 尾数中编码的16位值 和 3 位 指数： 此 字段 设置 期间的尾数。 周期=(PER_M*16+15)*2^PER_E |
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PER_E[2]：0] |
依据MCU芯片出厂参数设置计算 |
