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[参考译文] 正在寻找 TSM5055DCR RLG 的替代产品

admin
Guru**** 657980 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17522Q5A, CSD17555Q5A, CSD17581Q5A, CSD87352Q5D, CSD87331Q3D
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1055429/looking-for-alternative-of-tsm5055dcr-rlg

主题中讨论的其他器件：CSD17522Q5A、 CSD17555Q5A、 CSD17581Q5A、 CSD87352Q5D、 CSD87331Q3D

您好、TI、  
        根据应用要求、我们正在寻找  TSM5055DCR RLG 替代选项、因为我们使用的是产品板上的大多数 TI 组件。

www.mouser.in/.../TSM5055DCR_B1703-2821927.pdf

谢谢、  

Rahul

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    TI__Guru**** 657980 points
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    没有 P2P 替代。 TI 的双 MOSFET 是对称的。

    您可以使用两个具有等效特性的晶体管。 将 Q1替换为 CSD17522Q5A、将 Q2替换为 CSD17581Q5A 或 CSD17555Q5A。

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    TI__Guru**** 657980 points
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    您好 Rahul、

    感谢您关注 TI FET。 我们的双半桥电源块 FET 之一可能会替代、尽管它们与竞争对手的器件不是 P2P。 CSD87352Q5D 是我们最接近的5x6mm SON 封装。 FET 的导通电阻较低、最大 VGS 额定值为+10V/-8V。  对于较小的解决方案尺寸、采用3.3x3.3mm SON 封装的 CSD87331Q3D 将是另一种选择。 该电源块中的 FET 与竞争产品的导通电阻相似、并且绝对最大 VGS =+10V/-8V。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 657980 points
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    您好、John、

              感谢您的宝贵响应、我查看 了 CSD87352Q5D 技术文档、它看起来像 降压转换器  
     在我的应用中、TSM5055DCR MOSFET 可以用于任何类型的应用、我可以使用降压或升压相同的器件。

    如果您具有相同的配置 器件、请向我们提供建议。

    谢谢、  

    Rahul  

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    TI__Guru**** 657980 points
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    您好 Rahul、

    再次感谢您关注 TI FET。 CSD87352Q5D 在功能上与 TMS 器件相同。 两者都是具有非对称 FET 的双半桥器件、可用于任何数量的开关模式电源应用。 FET 的尺寸适用于低占空比同步降压转换器应用、但可用于需要半桥的任何位置。 我们有几个具有对称、独立 FET 的双 NFET、采用3.3x3.3mm SON 和 SO8封装。 请参阅下面的链接。

    https://www.ti.com/power-management/mosfets/n-channel-transistors/products.html#p267=0;60&p1143=Dual

    此致、

    John