感谢您关注 TI FET。我们的双半桥电源块 FET 之一可能会替代、尽管它们与竞争对手的器件不是 P2P。 CSD87352Q5D 是我们最接近的5x6mm SON 封装。 FET 的导通电阻较低、最大 VGS 额定值为+10V/-8V。对于较小的解决方案尺寸、采用3.3x3.3mm SON 封装的 CSD87331Q3D 将是另一种选择。该电源块中的 FET 与竞争产品的导通电阻相似、并且绝对最大 VGS =+10V/-8V。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1826070 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、John、

感谢您的宝贵响应、我查看了 CSD87352Q5D 技术文档、它看起来像降压转换器
在我的应用中、TSM5055DCR MOSFET 可以用于任何类型的应用、我可以使用降压或升压相同的器件。

如果您具有相同的配置器件、请向我们提供建议。

谢谢、

Rahul

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1826070 points

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您好 Rahul、

再次感谢您关注 TI FET。 CSD87352Q5D 在功能上与 TMS 器件相同。两者都是具有非对称 FET 的双半桥器件、可用于任何数量的开关模式电源应用。 FET 的尺寸适用于低占空比同步降压转换器应用、但可用于需要半桥的任何位置。我们有几个具有对称、独立 FET 的双 NFET、采用3.3x3.3mm SON 和 SO8封装。请参阅下面的链接。

https://www.ti.com/power-management/mosfets/n-channel-transistors/products.html#p267=0;60&p1143=Dual

此致、

John

开关与多路复用器（参考译文帖）

开关与多路复用器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] 正在寻找 TSM5055DCR RLG 的替代产品