请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：SN74LVC1G3157 主题中讨论的其他器件：TMUX1237、 SN74LVC1G04
SN74LVC1G3175器件数据表列出了先断后合特性。
从有关 BBM 特性的文献中、当在通道之间切换时、似乎在短时间内从输出中移除电源、以防止通道短接在一起。
因此、输出电压会根据输出电容放电的时间进行衰减。
我使用以下文献作为参考： SLVAE51–2018年11月
我的问题是：
使用 BBM 时、输出不会短接至 GND 或任何东西、对吧？ 电源刚刚断开、因此无论输出处于哪个电压、当存储在输出电容中的电荷通过各种路径放电至 GND 时、都将衰减。
SN74LVC1G3175数据表将 TB-M 列为最小值0.5ns。 该参数到底是什么...？ DS 中的图11显示了一个参数"TD"...是否列出了随温度变化的最大切换时间参数？ 需要使用此公式来计算输出电容的放电时间。
3.如果您要在两个相似的电压(例如5V 时的 Ch-1至5V 时的 Ch-2)之间切换、并且希望最大程度地减小输出端的压降、您会增大输出电容、对吧？
从文献 SLVAE51的第10页可以看出、切换过程中有一些公式和图形描述了预期的 Vout 骤降。 下面的理解是否准确？
对于 SN74LVC1G3175、切换时间为 XXX。 我现在假设最大值为1ns。
我们将假设输出为5V 时的 Iout 为1mA。
我们假设输出电容为30pF。
然后、根据公式、VDIP = 1ns *(1mA/30pF)= 0.03V
因此、输出电压仅会下降0.03V。 这种理解对于具有此类模拟开关的先断后合操作是否准确？
此致、
Darren
