您好！
在我的设计中、我似乎犯了一个错误、使用3.3V 电源为 SN74CBT3125C 供电。 到目前为止、它一直在工作、但哪些工作参数在较低的 VDD 下受到限制？
该应用是用于外部端口的350kHz I2C 总线。
所有信号的电压与 SN74CBT3125C 电源电压(3.3V)相同。
谢谢
您好、Bryan、
SN74CBTXXXX 信号开关架构是单个 NMOS FET 开关。 Vcc 引脚偏置 FET 的栅极、I/O 路径连接到漏极和源极。 随着 FET 源极上的电压增加并接近栅极电压、栅极和源极 Vgs 之间的差值减小。 当 Vgs 减小并接近 FET 阈值电压 VT 时、漏极和源极 Rdson 之间的导通状态电容会随着 FET 关断 Vgsts <Vt. 而呈指数级增加 漏极和源极之间的这种大导通状态电阻会导致 FET 上的~ 1V 压降。
要解决此问题、您可以增大 Vcc、这将增大 FET 栅极上的偏置电压、并增大 Vgs 、从而使 FET 保持导通状态并继续保持低导通状态电阻。
您还可以在我们 的产品系列中使用另一个器件、该器件具有与 PMOS 并联的传输栅极架构 NMOS 或带有电荷泵的 NMOS FET、可提升栅极电压。 与 NMOS 架构相比、这些架构将在整个 I/O 范围内提供平坦的电阻。 这些应用手册更详细地介绍了不同开关系列和架构之间的权衡。
我建议将 SN74CBT3125C 替换为 TMUX1511、这是一款更新版本的器件、具有改进的参数(Ron、导通状态泄漏电流、带宽)和更多特性、例如1.8V 逻辑兼容性、失效防护逻辑、并支持超出电源电压的输入电压。 查看下面的比较表：
谢谢
Saminah
