[参考译文] SN74CBT1G125：杂散电容

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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器件型号：SN74CBT1G125
主题中讨论的其他器件：SN74CBTLV1G125

大家好、

我们计划在高达200Mbps 的 M-LVDS 总线上将该部件用作终端电阻器开关。数据表仅在整个开关上显示 CIO (OFF)

为此、我们需要 Con 和 Coff 的详细信息、从开关端子到接地端、均处于导通和关断状态。可以帮帮我们吗？

提前感谢！

此致、

Jejomar

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 667810 points

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嘿、Jejomar、

我们没有此规格、但通常情况下、考虑到开关导通与关断时增加的导体面积、C (on)规格将仅为 C (off)规格的两倍、加上一些额外的杂散电容。对于该器件、安全估算值为16-18pF。

据说该器件是 NFET 器件，因此当 VS 接近 VDD 时，RON 将大幅增加(请看：[常见问题解答] TI 开关和多路复用器使用的架构类型以及如何知道我的器件内部使用的架构类型？)。这对该应用可能无关紧要、但如果确实如此、SN74CBTLV1G125是一个升级选项、它具有传输门架构、可提供更平坦的导通电阻区域。

谢谢、
Rami

开关与多路复用器（参考译文帖）

开关与多路复用器（参考译文帖）(Read Only)

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