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[参考译文] CC3235S:CC3235S

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: CC3235S, UNIFLASH

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/wi-fi-group/wifi/f/wi-fi-forum/1118043/cc3235s-cc3235s

器件型号:CC3235S
主题中讨论的其他器件: UNIFLASH

尊敬的先生/女士:

 

我希望您今天的工作做得很好。   我目前正在结合从 TI 购买的通路天线测试双频带无线 MCU CC3235S。  目的是检查器件是否完全 通过 ETS 和 ANSI 认证。

当我重点关注2.44GHz +/- 3%的频率时、 我目前根据这些具体标准(欧盟和美国)对其进行测试:

 

  1. ETSI EN 300 440 V2.2.1 (2018-07):短程设备(SRD);要在1GHz 至40GHz 频率范围内使用的无线电设备;接入无线电频谱的协调标准
  2. ANSI/C63.10-2013_procedures for compliance testing:American National Standard of Procedures for Compliance Testing of Unlicensed Wireless Devices

您能否告诉我双频带无线 MCU CC3235S 是否已设计为符合上述标准? 如果没有、请告诉我它的设计目标。

 

此外、是否可以告诉您用于测试双频带无线 MCU CC3235S 是否通过标准的设置、请回答? 我目前使用了以下选项:

                    

                     
感谢您抽出宝贵的时间发送此电子邮件、期待尽快收到您的回复。

 

此致、

控制

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    您好、Herve、

    我会使用最新的服务包。 可以从此处的 SDK 下载该软件

    LAUNCHXL-CC3235x 经过测试并通过的 CE 标准列表可在此处的文档 中找到。

    BR、

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    尊敬的 Seong 和其他人:

    非常感谢您的支持。 我仍有以下几个问题:

    根据 ANSI_C63.10-2013、低侧波瓣下的有害场强辐射:2.310-2.390 GHz、上侧波瓣下的有害场强辐射:2.4835-2.50 GHz 不得超过54 dBuV/m

    1.是否可以通过更改 TI 服务包参数来减少有害发射?

    2.您是否有任何与 TI 无线电与天线、背面耦合器和外壳的距离相关的应用手册?  

    3.通过使用建议的 TI 设置进行传导测量、我们还能实现更低的有害发射水平吗?

    感谢您抽出宝贵的时间发送此电子邮件、期待尽快收到您的回复。

    此致、

    控制

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    尊敬的 Seong 和其他人:

    非常感谢您的支持。 我仍有以下几个问题:

    根据 ANSI_C63.10-2013、低侧波瓣下的有害场强辐射:2.310-2.390 GHz、上侧波瓣下的有害场强辐射:2.4835-2.50 GHz 不得超过54 dBuV/m

    1.是否可以通过更改 TI 服务包参数来减少有害发射?

    2.您是否有任何与 TI 无线电与天线、背面耦合器和外壳的距离相关的应用手册?  

    3.通过使用建议的 TI 设置进行传导测量、我们还能实现更低的有害发射水平吗?

    感谢您抽出宝贵的时间发送此电子邮件、期待尽快收到您的回复。

    此致、

    控制

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    控制、

    您可以尝试使用 UniFlash 的高级射频设置修改较低和较高通道的输出功率。 请  参阅此处的 CC3235 Uniflash 用户指南中的第6.8.1.1.1和6.8.1.1.2节

    我们没有涵盖这些主题的应用手册、但我们可以通过 E2E 提供支持。

    3.我建议使用 无线电工具 目录中的 CC3235S SLI 映像进行认证测试。 此 SLI 映像中专门为 CC3235S 器件配置了 RF 设置。 此映像可在  CC3xxx_RadioTool_1.0.3.19 >器件映像> CC3235S 映像中找到。

    BR、