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[参考译文] CC2652R:片上闪存损坏

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: CC2652R, SIMPLELINK-CC13XX-CC26XX-SDK
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/zigbee-thread-group/zigbee-and-thread/f/zigbee-thread-forum/1233083/cc2652r-corrupted-on-chip-flash

器件型号:CC2652R
Thread 中讨论的其他器件: SIMPLELINK-CC13XX-CC26XX-SDK

您好、我有一个应用在 CC2652R 上运行、但板载闪存会断断续续地损坏。 在大约50个样片尺寸的原型装置中、我们每周7天、每天24小时不间断地运行数个月、看到不同装置上的闪存损坏了3次。 在我们的应用中、这种腐败实质上正在削弱我们的器件。

我们的应用在 ZCL 移植层中直接调用 NV 函数、其函数指针设置为使用 nvocmp.c 中的 NVOCMP 驱动程序函数 我的代码中失败的调用是 zclport_initializeNVItem()。 我已经在调试器中追溯到这个调用,它在 NVOCMP_findItem ()出现故障,该值返回 NVINTF_ROPED 值。

我们的应用程序目前总共使用16个不同的 NV 项目。 当这种腐败发生时、我们的所有项目都报告 NVINTF_COROVER。 基本上、此应用程序在初始化时写入大多数 NV 项目、而在初始化之后仅在引导时读取这些项目。 有一个 NV 项目被写入的频率相对较高。

两个单元在写入其初始化值后被损坏、并在下一次启动时出现错误。 最后损坏的另一个单元正在运行每15分钟写入一个特定项目一次的测试。 为了重现闪存损坏,我设置了另一个测试单元连续写入同一个特定的 NV 项目,它写了数千次。 到目前为止、我还没有能够重现问题。

为清楚起见、我仅假设闪存最有可能损坏的时间是在写入操作期间。 我没有任何直接证据表明在写入操作中发生了损坏。

不管怎样,我试图理解什么可能导致这种腐败。 什么可能导致 NVOCMP 函数返回 NVINTF_ROPED?

虽然我通常不会怀疑硬件组件出现了这个问题、但值得注意的是、我们测试了相当长的时间、但我们有另一个基于 CC2652R 的设计、我从未在另一个设计上看到过损坏。 但是、我没有足够的单位来具有统计学显著性。

谢谢。
授予

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    尊敬的 Grant:

    NVINTF_ROAD 的最常见原因是电源不足、无法安全写入闪存。   器件的电源电压是多少、您是否监控电源以确保其稳定/足够、器件是否受到意外断电/复位或 ESD 的影响、以及是否实施了 非易失性存储器低电压检测

    此致、
    Ryan

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    谢谢、Ryan、您确实给了我们一些值得关注的东西。  我们的产品不是电池供电的、但我们要看一下电源的稳定性。   鉴于我们不是通过电池供电的、我还没有看过 NV 内存低电压检测、但我将了解一下。

    到目前为止、已损坏其闪存的器件均未受到任何 ESD 的影响。  它们可能在不适当的时候受到电源关闭/重置的影响。  一般而言、它们几乎从未写入 NV 内存、因此在写入过程中不可能发生断电。  当然, "几乎从来没有"并不是完全从来没有。

    此致、

    授予

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    调试这样一个 NV 问题的难点在于其似乎不容易重现。  似乎没有超出该器件的最大闪存写入周期限制。  如果您重新编程有故障的电路板、并且 NV 再次损坏、而其它电路板继续按预期运行、则表明存在硬件问题。  您使用的是哪个 SIMPLELINK-CC13XX-CC26XX-SDK 版本、如何初始化和读取/写入定制 NV 项目?

    此致、
    Ryan