关于TMS320F28377 操作镁光SDRAM（MT48LC4M16A2P）的问题

你好，能否更详细描述一下这个情况？
另外，用例程测试的时候只是将例程中的EMIF1改成EMIF2吗？有做过其他修改吗？

void main(void)
{
int i = 0;

InitSysCtrl();
InitGpio(); // Skipped for this example
DINT; // Disable interrupts
InitPieCtrl();

//Disable CPU interrupts and clear all CPU interrupt flags;
EALLOW;
IER = 0x0000;
IFR = 0x0000;
EDIS;

InitPieVectTable();

EALLOW;
EINT;
EDIS;

//#step1 配置EMIF2时钟
EALLOW;
ClkCfgRegs.PERCLKDIVSEL.bit.EMIF2CLKDIV = 1;//参考TI配置，先配置EMIF时钟为时钟主频的一半。
EDIS;

EALLOW;
//#step2
//设置CPU1还是CPU2为EMIF1的master，由于EMIF2只能工作在CPU1下，EMIF2没有该功能寄存器

//#step3 解除EMIF2访问保护
Emif2ConfigRegs.EMIF2ACCPROT0.all = 0x0;

//#step4设置EMIF2ACCPROT0不能再被更改
Emif2ConfigRegs.EMIF2COMMIT.all = 0x1;

//#step5锁定EMIF2COMMIT寄存器，防止被再次更改
Emif2ConfigRegs.EMIF2LOCK.all = 0x1;
EDIS;

//#step6配置所有的EMIF2相关GPIO
setup_emif2_pinmux_sdram_16bit(0);//库函数配置方法

//#step7配置EMIF2控制寄存器
InitEmif2(); // EMIF2初始化

//#step8 加一点延时
for(i = 0; i<123; i++){}

while(1)
{
sdram_read_write2(0x90000000, 0x500);
}
}

//EMIF2的关键寄存器配置
void InitEmif2(void)
{
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RFC = 5; //5，发送加载模式寄存器命令后要等待的时间，过了这段时间才可以发送行有效命令(激活命令)
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RP = 1; //1，预充电和其它命令之间的延时
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RCD = 1; //1，行有效命令(激活命令)到列读写命令之间的延时
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_WR = 1; //1，写命令和预充电命令之间的延时，过了这段时间才可以进行预充电
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RAS = 4; //4，发送行有效命令后要等待的时间
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RC = 5; //5，两个行有效命令之间的延时，以及两个相邻刷新命令之间的延时
Emif2Regs.SDRAM_TR.bit.T_RRD = 1; //1，两个不同的bank之间的行有效命令之间的延时
Emif2Regs.SDR_EXT_TMNG.bit.T_XS = 6; //6，退出自我刷新命令后要等待的时间，过了这段时间才可以发送行有效命令
Emif2Regs.SDRAM_RCR.bit.REFRESH_RATE = 1562; //1562，刷新频率

//ClkCfgRegs.PERCLKDIVSEL.bit.EMIF2CLKDIV = 1; //1:100MHz;0:200MHz
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.SR = 0; //EMIF进入自动刷新状态
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.NM = 1; //设置为16位数据总线
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.CL = 3; //CAS延迟：内存纵向地址脉冲的反应时间，只支持设置为2和3。需查阅SDRAM的手册，示例设置为3 “该时间只是针对读操作，写操作没有这一延时”
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.BIT_11_9_LOCK = 1; //该位被置1，CL字段才被允许写入
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.IBANK = 2; //？？？最大只能配置到010b,存疑，寄存器手册标注配置为2就可以连接外部4个bank，数据手册标注连接外部3个bank
Emif2Regs.SDRAM_CR.bit.PAGESIGE = 0; //256-word,requiring 8 column address,列地址为8位时设置为0
EDIS;



}


//我把读的代码去掉了，只是写数据
char sdram_read_write2(Uint32 start_addr, Uint32 mem_size)
{
Uint16 mem_rdl;
Uint16 mem_wdl;
Uint32 XMEM_p;
Uint32 i;

//Write data
XMEM_p = start_addr;

//Fill memory
mem_wdl = 0x0123;
for (i=0; i < mem_size; i++)
{
__addr32_write_uint16(XMEM_p, mem_wdl);
XMEM_p = XMEM_p+2;
mem_wdl += 0x0001;
}
}

//IO配置
void setup_emif2_pinmux_sdram_16bit(Uint16 cpu_sel)
{
int i;

for (i=53; i<=68; i++)
{
GPIO_SetupPinMux(i,cpu_sel,3);
}
for (i=96; i<=121; i++)
{
GPIO_SetupPinMux(i,cpu_sel,3);
}

//
//configure Data pins for Async mode
//
for (i = 53; i <= 68; i++)
{
GPIO_SetupPinOptions(i,0,0x31);
}
}

请您帮忙看一下。

下面这是基本现象，每次写入，所有地址数据都跟着变。然后我又参考TI的另外一个DEMO，直接修改CMD文件，在外部的SDRAM中定义一个数组缓冲区，然后向数组中写数据，刚向数组第一个空间写入一个数据，数组所有空间都变成这个数据了。

建议你使用C2000Ware中的配置工具检查一下EMIF SDRAM的设置：〜\ C2000Ware_XXXXX \ boards \ TIDesigns \ F28379D_EMIF_DC \ C2000-EMIF_ConfigurationTool.xlsx
此EMIF应用报告中还包含一些设计、用法和调试指南：www.ti.com/.../sprac96a.pdf

我下载了，利用配置工具检查了配置，没发现问题。我问一下TMS320F28377d为什么没有配置突发长度的相关字段和行地址线大小的相关字段。

还有就是寄存器里为什么没有配置突发长度的字段。

JEDEC标准提供了有关兼容性行为的指南。 EMIF仅针对允许根据标准变化的参数进行配置和指定。

您好！Green Deng

      您还有其他的思路吗？

      问题还是向一个地址写入数据后，所有地址都变成该数据，比如向0x9000 0000 写入0x0005,,,所有地址都变成0x0005，向0x9000 1000写入0x0006，所有地址又都变成0x0006, 用的是镁光的MT48LC4M16A2P-6A，大小1M*16(bit)*4(bank)。是通过CCS的Memory Browser观察的数据。

        为了防止是观察方法不对，我不管显示，向不同地址写入不同的数据后，读出的都是最后写入的数据，确实说明当前向一个地址写入数据后，所有地址都变成该数据了。

        配置利用TI的配置工具已经检查过了，EMIF1操作SDRAM的例程也下载了（controlSUITE.exe）。

        请问为什么会出现这种现象，不认为是配置错误。之前论坛有几个人问过，都没人回答，并不是我一个人遇到这种问题。很着急解决这个问题，希望您能解答一下，或者提供一些思路。