数据手册中有一项 关于FLASH的时间 参数 Program and erase endurance ,请问这个是FLASH擦除用的总时间吗。
我擦了6个SEG,Segment erase,每一个SEG用4819个Tftg,总的时间=6 ×4819×Tftg 约100ms,实际却用了将近1S,请问这是为什么?
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数据手册中有一项 关于FLASH的时间 参数 Program and erase endurance ,请问这个是FLASH擦除用的总时间吗。
我擦了6个SEG,Segment erase,每一个SEG用4819个Tftg,总的时间=6 ×4819×Tftg 约100ms,实际却用了将近1S,请问这是为什么?
Program and erase endurance 的时间是指当FLASH编程/擦除时的保持时间。在编程时,当所有的数字都写入FLASH后开始计算,在擦除时,从启动擦写命令时开始计算。所以楼主的1S时间应该是有问题的。