DRV8323: DRV8323RHRGZT 门级驱动波形有台阶

您好我们已收到您的问题并反馈，预计将于24小时内给您答复。谢谢。

这是由于电流方向：

1. 当电流从 SHX 流出时，死区时间会导致低侧体二极管导电，SHX 电压为 -0.7V。

2. 当电流流入 SHX 时，死区时间会导致高侧体二极管导电，SHX 电压为 VDRAIN+0.7V。

希望以上回答对您有所帮助，如有其他问题请随时联系我们。

是什么原因引起MOS管高侧的体二极管导通，这是我MOS管的原理图 ，你看看

如何解决门级驱动波形出现台阶，或者说如何消除波形的台阶

好的，我会将您的问题更新到英文论坛，预计明天给您解答。

我看到发这个帖子的朋友在另外一个8301的帖子里也问到这个问题了

如上图所示，DRV8301数据手册27页的应用波形，注意这个波形里高侧FET的GH就是有平台的，见这个图里红色的通道2.

高侧FET的GS是高侧的GH(红色通道2)减去高侧SH(蓝色通道1)，这个图里示波器电压每个大格是20V，通过观察可以发发现，SH的高电平电压和GH平台出现的电平位置是一样的，两路相减之后得到的高侧FET的GS电压约为11V左右

出现这个平台应该也和高侧FET的充电泵供电方式有关吧

我觉得这个是个正常的波形 应该不需要解决平台波形

现在时因为波形出现平台导致没有死区了，左边有死区，波形右边没有死区，没死区的话容易烧管子

我刚才一直检测上桥和下桥的门级驱动波形，发现有时候有死区，有时候没有死区，测前级的PWM波形正常

我觉得您的示波器测量方式是不是有问题

首先测量高侧FET的GS您是用差分探头测试的吗

可能需要注意一下安全问题

另外 波形图里的黄色波形是桥臂低侧门极对PGND的波形吗 蓝色线是高侧的门极吗 测量的参考点是什么呢 如果是要看死区 我认为应该是看

高侧FET的GH    减去   高侧FET的SH的波形

与

低侧FET的门极

信号做对比

但是我觉得这样可能并不好测量 需要注意测量信号参考平面的问题还有示波器接地问题 与普通探头和差分探头的使用也有关系 测量时注意安全

我的想法是

第一 驱动器在使用的时候报警了吗 出现烧毁功率管的现象了吗？集成的驱动器保护机制相对安全 如果出现桥臂驱动管同时导通的情况 一般会启动保护

第二 测量下高侧SH的波形 看看它的宽度是不是和高侧GH平台的宽度一样呢 如果二者宽度相同 那么相减后的高侧GS和低侧GS是存在死区的

是的，黄色是低测驱动信号，蓝色是高测驱动信号，我两个参考地接一起了，是不对 ，之前有一块板把驱动IC烧了，我当时以为是这个原因 

请您先参考该帖中另一位工程师的回复，我会将您的问题反馈到英文论坛。由于国庆假期，预计答复您的时间为下一个工作日，感谢理解！

嗯 一定注意测量方式 

如果要测量高侧FET 建议使用差分探头

再有 示波器的电源线 建议使用两相的插头 

如果是普通探头 各个通道的地线夹子与三相插头中间的GND是通的 也就是说与大地是通的 有的时候也会出问题

集成的驱动器 保护做的比较多 有的时候调试会感觉保护很敏感 算法调试阶段不是特别顺利 但是集成的驱动器不太容易烧驱动管 调试时注意驱动桥供电电源电压、电流限制值保护 会更安全一些

其实我之前也没有注意您和另外一位工程师提到的平台问题 也是刚看了手册才注意到

Cherry Zhou的答复还没有太理解

现在用差分探头测试，波形正常了 ，也没有出现台阶  ，感谢感谢 

不客气 有问题随时联系