现有一款COB封装的LED，其参数为正向压降34.6V，正向电流3A，功率103.8W
现在要驱动该LED，在官网照明LED驱动系列下，看到TPS923655DMTR可以驱动100W的LED
查阅手册知道该芯片内置MOS管的内阻为150mΩ
如果我的输入电压为24V，要求输出电压35V/3A，在此条件下计算芯片的热损耗包含
1、MOS管的导通损耗，
2、MOS管的开关损耗，
3、驱动损耗
MOS管的导通损耗约为1W，由于无法知道内部MOS管更多的信息，因此无法评估其开关损耗，但是依据经验可知开关损耗可能比导通损耗更高，在开关频率提高以后更加明显，因此整个芯片的热损耗可以最小有2W，甚至更高，这将对热设计是一个巨大的考验
因此想要咨询
1、该芯片是否有DEMO验证过在大电流下的热损耗，最好有热成像图
2、有没有开关管外置的同步升压类LED驱动推荐，外置MOS管的话，可能效率更高，热设计更方便
