BQ4050: BQ4050的EDV0问题

Part Number: BQ4050

在使用BQ4050用作电池管理芯片时发现了一个问题

使用的DM配置在最后,使用了动态计算的EDV2,EDV1和EDV0,没有使用EDV平滑功能,CEDV参数是根据实际所用电池测试所得

假设overload current为10A,从RSOC=100%开始12A放电,那么在EDV2之前VDQ标志位都会保持置位,如果继续保持,那么到达EDV2后VDQ会被取消置位,这种情况下一切正常。

如果电流一如既往的保持8A,EDV2后FCC会被更新,这种情况下也一切正常。

那么如果在一开始使用12A放电,在EDV2之前一小段的时候把电流调整到8A,这时候RSOC会被保持在7%,一直持续8A放电,最终的结局是CUV,且这时候的RSOC还是7%;如果在最终再把电流提高到12A,那么VDQ会被取消置位,然后正常放电,不过由于在7%停了太久,最终还是可能出现CUV。

我想知道这种情况的发生原因和机制

部分的DM:

Settings Protection Protection Configuration 0 hex
Settings Protection Enabled Protections A ff hex
Settings Protection Enabled Protections B 3f hex
Settings Protection Enabled Protections C 41 hex
Settings Protection Enabled Protections D 0c hex
Settings Permanent Failure Enabled PF A 0 hex
Settings Permanent Failure Enabled PF B 0 hex
Settings Permanent Failure Enabled PF C 0 hex
Settings Permanent Failure Enabled PF D 0 hex
Settings Configuration Charging Configuration 0 hex
Settings Configuration Temperature Enable 6 hex
Settings Configuration Temperature Mode 4 hex
Settings Configuration DA Configuration 1e hex
Settings Configuration FET Options 1d hex
Settings Configuration Sbs Gauging Configuration 4 hex
Settings Configuration Sbs Configuration 20 hex
Settings Configuration Power Config 0 hex
Settings Configuration IO Config 0 hex
Settings Configuration LED Configuration 00d0 hex
Settings Configuration SOC Flag Config A 433 hex
Settings Configuration SOC Flag Config B 8c hex
Settings Configuration Balancing Configuration 1 hex
Settings Configuration CEDV Gauging Configuration 078b hex
Settings Configuration CEDV Smoothing Config 8 hex
Settings AFE AFE Protection Control 70 hex
Settings AFE ZVCHG Exit Threshold 2200 mV
Settings Fuse PF Fuse A 0 hex
Settings Fuse PF Fuse B 0 hex
Settings Fuse PF Fuse C 0 hex
Settings Fuse PF Fuse D 0 hex
Settings Fuse Min Blow Fuse Voltage 3500 mV
Settings Fuse Fuse Blow Timeout 30 s
Settings BTP Init Discharge Set 150 mAh
Settings BTP Init Charge Set 175 mAh
Settings SMBus Address 16 -
Settings SMBus Address Check ea -
Settings Manufacturing Mfg Status init 30 hex

 

  • 您好,收到了您的案例,调查需要些时间,感您的耐心等待。

  • 今天测试的过程中仔细观察了这一过程,设置使用固定的EDV0,不开启平滑。从FC开始,以超过过载电流的电流放电。在放电的初期,CEDV FltV大概为9080mV,在放电到12%左右的时候,刷新寄存器发现CEDV FltV已经变成了固定的EDV0 * 3(电池串数),此时EDV2没有置位。然后放电到7%的时候RSOC停止变化,直到电压放到EDV0 * 3,EDV2 EDV1和EDV标志位同时置位,RSOC被设置为0%,然后FCC被额外增加了7%以至于超过了设计容量而被限制为设计容量。

  • 近几天的循环测试中发现了如下异常,过载电流设置为10A,放电电流保持12A,从100% FC开始放电,这时候VDQ会保持点亮,然后CEDV Threshold显示9075mV左右,放电到大概15%或者20%刷新寄存器会发现CEDV Threshold显示7950mV(这正是EDV0的值),这时候把放电电流切换为8A或者一个小的电流,继续放电,到7%时RSOC会停止变化,直到电压到达7950mV,EDV2,EDV1,EDV同时点亮,FCC更新,容量比预期容量多出了许多

  • 请附加与项目关联的任何.log/.gg 文件