目前設計BMS輸出是使用充放合一架構，
有使用78350的充電完畢就會關閉Charge MOSFET功能，
要放電時，電流會先流經Charge MOSFET的Body Diode，
偵測到放電電流後，會再度打開 Charge MOSFET，
做了一個實驗，當偵測有放電電流 到 Charge MOSFET打開，約有357ms的時間差(量測CHG_EN與輸出電流)，
也就是我的Body Diode承受357ms的放電電流，
這個時間差能有辦法縮短嗎?
目前設計BMS輸出是使用充放合一架構，
有使用78350的充電完畢就會關閉Charge MOSFET功能，
要放電時，電流會先流經Charge MOSFET的Body Diode，
偵測到放電電流後，會再度打開 Charge MOSFET，
做了一個實驗，當偵測有放電電流 到 Charge MOSFET打開，約有357ms的時間差(量測CHG_EN與輸出電流)，
也就是我的Body Diode承受357ms的放電電流，
這個時間差能有辦法縮短嗎?