你好
我在做一个BOOST同步整流电路时遇到了一些问题想请教一下。
当我们设计同步BUCK整流电路时，可以使用推挽电路来很好的驱动高低侧MOS管。同样的，在BOOST升压时，低侧MOS管也可以这样驱动，如下图。
但是非同步的BOOST整流在大功率工作时发热严重，且由于对电感电容的要求，体积较大。
现在我在制作一款12-22v输入，24v输出，15-20A的BOOST升压。考虑到成本和难易程度，没有使用多相交错输出的芯片。低侧MOS管使用推挽电路很好驱动，但是另一个NMOS的G极会在0-24v间变化。一般NMOS管Vgs的耐压为+-20v。要想使MOS管完全打开或关闭，G极电压变化范围在0-27v，明显会使MOS管损坏。高侧MOS管上的G极电压要根据电感之后的电压决定。所以有什么办法提高芯片驱动能力吗？
