附上TI升压原理文档，请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗？
两个公式有疑惑
1.占空比计算公式哪个正确？
D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo（其中n为效率），哪个公式正确？
2.开关峰值公式是不是分降压跟升压？
降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ），但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/（1-D）+IL/2(其中IL为纹波电流 ），所以是不是区分升降压？
附上TI升压原理文档，请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗？
两个公式有疑惑
1.占空比计算公式哪个正确？
D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo（其中n为效率），哪个公式正确？
2.开关峰值公式是不是分降压跟升压？
降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ），但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/（1-D）+IL/2(其中IL为纹波电流 ），所以是不是区分升降压？
