MOS管关断瞬间 RDC吸收回路无法吸收反向尖峰 mos管击穿

Hi
用的是哪一款芯片?

我在网上看资料 Vrdc的电压有Vinmax（24*105%）和Vor（vor=（voutmax+vf）*Np/Ns =（300+0.8）/19=15.83v）组成 但是我的这两个值相加 ，与波形反映出来的数值也相差较大 ，两者之间的差值又是哪部分的电压

调整电容对尖峰用处不大，应该减小电阻及更换更优得二极管。

但是实际试验的波形来看  减小R4的电阻，Vds峰值有所下降；增大电阻R9，反而Vds的峰值有所下降

R4:47k C13:103 R9:1K C18:103   vds波形如下面两图所示（黄色波形   vds  衰减10倍         蓝色波形  Q2 gate）

减小电阻R4   vds峰值有所下降；R4变为10k   其他三个参数不变。结果如下两图所示

增大R9电阻为5.1k时，反而vds峰值有所下降

你说的二极管对于VDS峰值的影响，能不能给解释一下。具体时间二极管的什么参数

Hi
确认一下变压器漏感是否过大？

1-4 leak 2.22uh total 90.37uh 2.3%
2-3 leak 1.87uh total 90.08uh 1.9%
9-12leak 8.75uh total 39.038mh 0.026%
10-11 leak 4.919uh total 39.082mh 0.012

这是之前绕完变压器 我有用数字电桥测量的数据 我算了一些都在2%之内

Hi

    可以参考附件看看。

  snubber design.pdf

多谢
我有个问题想请教一下 前几天新绕了一个变压器 在用电桥测原边漏感时 出现了负值,上网查了查是呈现容性阻抗。
推挽式原边由双线绕制，比如说是1-4,2-3（1、2是同名端）电路中2、4连接在一起，主要副边输出也是双线绕制（9-12、10-11），电路中9、10连接在一起
测漏感时，我该怎么短接副边的接线柱？原边是按两个绕组来测，还是短接2、4，然后测量1-3之间的漏感？
我两种方法都试过，在测量线圈电感的时候，短不短接两个双线绕制的接头，前后电感值相差都比较大
还是说电桥的使用方法有问题，以前都是一键auto。（电感测量的频率是不是要接近开关频率）

Hi
变压器绕线问一下变压器厂商，特别是要量产。 我们这边关于变压器绕线的资料几乎没有，一般也就是计算感量，匝比之类。

变压器开关频率的提升   与comp反馈的时间是不是需要进行匹配

在之前的试验中输出电压在300v调试    在提升输出电压的同时（380v），更改芯片RT的电阻，降低频率（至300v输出时的效率最高的频率点），带载时效率急剧降低。

现在是更改反馈回路的参数  来适应原最佳频率点？还是试验更高的频率，寻找新的最佳频率点？

反馈回路中C33是怎么来调节这个负反馈的灵敏度的？