项目是使用STM32 的高级定时器功能输出20Khz的互补PWM，通过调整占空比，输出67hz的正弦波，接法是STM32→隔离型光耦(6N137)→MOS管驱动（ucc27211）→N MOS管（csd19506），程序中设置的死区时间为3us，现在的现象是STM32输出、光耦的输入输出、MOS管驱动输入都是正常的，都有死区，但是经过这个驱动管输出的波形，死区时间消失了，只有上升沿有，下降沿没有死区，这就导致后面的MOS管桥会出现发热现象，请问这是什么原因？下面附上原理图和示波器测试波形：
项目是使用STM32 的高级定时器功能输出20Khz的互补PWM，通过调整占空比，输出67hz的正弦波，接法是STM32→隔离型光耦(6N137)→MOS管驱动（ucc27211）→N MOS管（csd19506），程序中设置的死区时间为3us，现在的现象是STM32输出、光耦的输入输出、MOS管驱动输入都是正常的，都有死区，但是经过这个驱动管输出的波形，死区时间消失了，只有上升沿有，下降沿没有死区，这就导致后面的MOS管桥会出现发热现象，请问这是什么原因？下面附上原理图和示波器测试波形：
下面这个如是光耦的输出，也就是MOS驱动管的输入波形，可以看到是上升沿和下降沿都是有死区的
还有一个问题，这个是我修改前的电路图（红框中），请问这个到底是哪个正确的接法？是我修改前的还是修改后的？谢谢
