Other Parts Discussed in Thread: TPS51120,
TPS51125和TPS51120对比发现51125芯片发热比较大,在3.3V 1.8A负载下,51125的温度比电感还高,51120正常温度; 静态不接负载情况下,51125消耗掉输入电15V 40+mA,而51120才10不到。不知道是否正常情况,感觉有点怪怪的
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Hi
注意芯片控制要选择轻载模式,不能选择PWM模式,后者会导致较大的输入电流,而前者才是静态电流模式,并且改善轻载效率。
Hi
连接Vref。
如果在Powersaving模式不能改善,建议你确认轻载时驱动有没有异常? 如果没有?有完全空载,也就是芯片消耗了电流,且存在发热现象可能是芯片质量问题。
额外的注意就是Powerpad接GND, 并利用Powerpad加大面积GND给芯片散热。
Hi
外置MOS本身的空载功耗就相对比较大,必须设置到power saving模式下才能降下来。
而且是2路输出,注意选择尽量小Qg的MOS是可以降低功耗的。
另外芯片发热偏大,除了选择低Qg, Rdson的MOS外,主要注意Powerpad的散热设计。