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您好
我理解的LM5060-Q1的保护机制是通过SENSE和OUT的压差来实现保护，可是规格书中都是来采集NMOS管的DS压降，
1.它可以用于增加串阻采集电阻电压来实现保护机制吗？类似TPS247X这种保护机制。
2.如果可以的话会不会产生其他问题？
3.如果可以的话这种采集NMOS管DS压降和采集电阻压降是可以通用的吗？
Hi
LM5060,或者TPS247X,这些芯片其实都比较类似，但又有差异，前者计算实际是SENSE和OUT之间的压差，而后者用了额外的sense电阻，此时是VCC和sense的压差。
前者实际上是将MOS的Rdson作为sense电阻，额外增加电阻没有必要。
总之这类芯片都是采集两个引脚的压差来实现限流保护的目的，是吗？
我为什么要额外增加sense电阻的原因是：
1.MOS的Rdson作为sense电阻，会瘦电流大小，温度，而且MOS的Rdson是一个范围值他的精度要比我选一个电阻要差很多，所以影响限制电流的因素较多，一致性也比较差
2.第一条是勉强可以接受的最重要的是我这个产品要符合防爆本安标准，要通过电火花实验，不知道您了不了解，我刚接触这个东西，之前通过这个实验的方案就是采用额外增加sense电阻的，芯片型号是ADI的LT4363。
Hi 你提到的是一个问题，但是这类芯片本身并不是一个高精度的控制，只是用于解决启动瞬态因为热插拔造成的电压电流inrush， 而这个本身就是为了避免火花（此时会产生较大的电压电流冲击）
您意思是LT4363本身就是为了避免火花的吗？如果我用LM5060加sense电阻采集电流的话，那么LT4363和LM5060有什么区别呢？我想用LM5060-Q1来替代LT4363可以吗？如果不可以为什么，咱们TI有其他芯片可以替代吗？这个我有点区分不开他们的区别，麻烦您详细说说。
不建议额外增加sense电阻。
