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大家好！
我用EMB1499Q做了一个充电项目，之前用12V输入3V输出能正常工作。现在更改设计，用60V输入3V输出（变压器由1：1改为4：1），调试时总是烧主MOSfet。不知是什么原因？请大家指导。谢谢！
您好，请参考文档Active Chipset Reference Design Guide，希望对您有帮助。
www.ti.com/.../sluuas6a.pdf
谢谢您的及时回复！
我先读下这份资料，有不懂的再来请教。谢谢！
我看了下这份资料，其内容与EMB1499的资料讲的基本相同，我设计时基本上有参考资料进行。在这里借机想请教下以下不明处：资料中5.11.2节给出的公式16中dt和AI怎么确定？5.6 Active-Clamp Driver Circuit为何用2级反相器？直接增加一级延迟电路是否可以？谢谢！
您好，正在查询，稍后回复。
谢谢回复！
已经调试好，是因为Clamp 驱动电容用错造成。
但现在有另一个问题，充放电的电流不一样，不知是何原因。
您好，充放电的电流取决于负载，看一下是不是负载的问题。
