Other Parts Discussed in Thread: BQ25910, , BQ25898
TI工程师，你好，
我在使用BQ25910EVM-854测试效率的时候发现比BQ25910 datasheet上描述的低了约1%，例如在峰值效率处（VBUS=5V，VBAT=3.8V,充电电流1.1A）实测效率94.5%。
排查不出原因：
1.确认了测试设备没有问题
2.BQ25910应该是在单独工作的，以下是写的寄存器内容。
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I2C address |
Reg address |
Write command |
description |
|
6A |
00 |
C8 |
Master HIZ enable |
|
6A |
07 |
8D |
Master WD disable |
|
4B |
05 |
DD |
25910 WD reset |
|
4B |
05 |
8D |
25910 WD disable |
|
4B |
06 |
3B |
25910 CHG enable |
3.测试点取的是：
输入电压：GND_s & VUS2_S
输入电流：R19（datasheet上所说的R21 没有焊在板子上且绕过了Ron_QBLK)
输出电压：VOUT_910_s(datasheet 上说的BAT_s明显不合理，BAT_s是与BQ25898连接的）& GND_s
输出电流：R20
4. 环境温度在25~30℃
5.检查了BQ25910的SW和fly cap波形，是在正常工作的。
6.工况都是VBUS=5V，VBAT=3.8V。且都根据充电电流变化微调了VBUS和VBAT
请问还有什么因素会影响到测试的效率？有哪些点是我没有注意到的？
