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TPS40192开关管选择

Eric Sun
Intellectual 944 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS40192

根据TPS40192的资料中的应用实例和步骤：MOSFET Switch Selection(Q1,Q2)中的描述（如下图示）：

有以下问题不是很明白：

1.总的MOSFETS损耗是1W，是根据什么设计的此参数。

2.按照VIN=12V,PG1SW=0.6W,IOUT=10A,VDD=12V,VT=2V,RDRV=2.5Ω，fSW=600kHz求得的QGD1好像是33.3nC，但是文中描述是8.5nC

 希望知道的网友帮忙答疑以下，谢谢！

  • 0
    Mastermind 6920 points

    Hi

       MOS的损耗至多1W，是因为要做到90%的效率，那么可以依据你的输出功耗算出总体的损耗，然后扣掉电感的功耗，剩下主要就是MOS的功耗和驱动的功耗了。

  • 0 回复 tao smith
    Mastermind 6920 points

    Hi

       我觉得 在计算中少了一个1/2， 这一点你可以对照上面的第十七式。

      下面的计算QGD1< 0.6/(14*10)* (5-2)/2.5 * 1/600k=0.6*3/（140*2.5*0.6M)=600/70=8.5nC 是没有问题的。

  • 0 回复 tao smith
    Mastermind 6920 points

    Hi

        这里的Vin按照最大电压是14V， VDD实际上是指驱动电平电压，即Vbp5,计算时按照5V算的。

     

  • 0
    TI__Mastermind 35514 points

    您好，

    第一个问题：至于为什么是1W，我也不清楚，根据我的理解：这只是一个估计的结果，考虑到效率问题，预定一个大概的功率损耗，也可以是0.8W等等，that's ok.

    第二个问题：其实这里是datasheet误导了你，其实这里不应该是VDD，应该是驱动电压，驱动电压VBP是5V，所以Vdd-Vth=5-2=3V,根据公式17开关损耗最大的点是输入电压最大时，因此此时VIN=14V，你带进去试试，我算了一下应该是8.57nC，这边就给了8.5nC的数据。我的理解是这样。

    以上是我的理解，希望有帮助到您，谢谢。

  • 0 回复 tao smith
    TI__Mastermind 35514 points

    嘿嘿，发出回复发现你在我前面回复了，回复你一下，这里为什么没有1/2，开通和关断，虽然公式不同，但是粗略的话可以认为损耗相同，那这样就没有1/2了，我的理解是这样的，欢迎补充指正。

  • 0 回复 tao smith
    Intellectual 944 points

    非常感谢您和您的解答！

  • 0 回复 Frank Xiao
    Intellectual 944 points

    灰常感谢，我会认真核对资料！

  • 0 回复 tao smith
    Intellectual 944 points

    TO：tao smith 谢谢您的解答！我会认真阅读资料，好好分析学习。

  • 0 回复 tao smith
    Intellectual 944 points

    要做到90%的最大效率，输出10A，1.8V那总的损耗至多是1.8W才对。电感的功耗6.6mΩ*10A*10A=0.66W，MOS损耗的损耗至多1.14W，当然上端MOS功耗肯定比同步的MOS功耗大一些。上端应该是0.6*1.14W,这样的话Qgd就是9.7nC。不知道这么理解对不对？TPS40192的Datasheet中图17对输出端描述是错误的，应该是10A，1.8V输出！

    同理，下边对Rds的求解也是有问题：按照它的参数算出来Rds(on)Q1<PQ1C(on)/((IL(rms)*IL(rms))*Vout/Vin)=0.4/((11.22*11.22)*1.8/8)=14.2mΩ 并非是17.3mΩ

  • 0 回复 Eric Sun
    Mastermind 6920 points

    Hi

       其实这些都是大致的估算，知道大致的算法就可以了，我觉得上述更多的是让客户了解到大致的损耗在哪，并不是非常的严格，具体您可以到板子做出来之后再比照。实际做成板子后，就比较有经验，那些会影响到效率。

       你还可以在板子调试的注意一下这些问题，例如选择Qg较大的MOS和Qg较小的MOS，可以发现效率的变化。