Other Parts Discussed in Thread: INA241B
Hi TI, 最近在做一个电机驱动器产品,用到贵司的UCC27211 VSON (8)封装,这款驱动IC,性能上符合性能要求,但是比较迷惑的是,作为一款高低半桥驱动,该款芯片的高边HB自举电源与低边VDD间距非常小,仅有0.4mm,如图所示:
因为我的电机驱动器供电范围为DC48V~80V,考虑到刹车时再生能量的影响,母线电压最大可能达到DC100V,那么问题来了,如图所示
当高边导通、低边截止时,HB电平将是100V+12-VF,这样VDD和HB的压差≈100V!并且VDD和HB都是低阻抗回路,从安全间距上来说0.4mm的间距是很不安全的,那么这种新型的高低半桥驱动会不会有间隙放电的风险?即使采用SOIC8的封装,VDD和HB的间距也只有0.66,我不知道按datasheet的设计是否可行,请帮我分析一下。
另外该项目还用到了INA241B实现电机电流采样,也是存在同样的安全间距问题。
非常感谢!