BQ76952EVM: 使用EVM板可以进行放电，但却无法充电。

您好，建议连接BQSTUDIO看一下是什么保护导致不能充电。

您好，五节电芯的两端是按照顺序使用杜邦线连到BAT-到cell5之间的引脚上的，cell5 到 cell 16之间都是短接的，pack端连接电子负载是可以正常放电的，然后pack端连接到21V的充电器后，电流为0，无法充电；BQSTUDIO上无任何保护触发；分流器的跳线帽都是去除了的。是否还有其他的原因？

您好，是否方便提供充电时的BQSTUDIO画面，看一下MOS是否打开。

您好，

CHGTEST和DSGTEST模式下，充放电开关打开：

1.接电子负载放电时，cell16 -> pack+的压降为5.17V，pack+ -> cell16端子的电阻为0欧姆，从cell16到pack+测不出来电阻，可以正常放电，放电电流0.5A。

2.关闭电子负载，停止放电，测量pack+ -> cell16端子的电阻为0.64千欧，从cell16到pack+测不出来电阻。

3.连接充电器正负极后，cell16 -> pack+的压降为4.25V，测量不出pack+ -> cell16端子的电阻，cell16-> pack+的电阻为0欧；充不了电，电流为0。

放电时截图：

接充电器时截图如下：

然后关闭测试模式，打开FET_EN，再点击ALL_FETS_ON, 出现DSG_FET打开，但是CHG_FET未打开。接电子负载后，CHG_FET又显示打开了，此时CHG_FET的打开关闭与是否进入SLEEP有关。此时可以正常放电。

然后接充电器，无电流。CHG_FET时而打开，时而关闭，可能是由于电流测量不准确，即使pack断开时，测量的电流也会在-7mA到-249mA跳变，大部分时间为0。

接充电器时截图1如下：

接充电器时截图2如下：

注意：在以上过程中，无任何保护产生。

您好，正在询问更了解这款芯片的TI工程师，稍后回复。

您好，由于论坛提示我没有公司的邮箱，在论坛上无法回复，所以只能在这儿回复了。

让我澄清一些事情。首先，关于电阻的测量是我的错，我不应该在带有电池情况下使用万用表去测量BAT+到PACK+的电阻，很抱歉我的错误对您造成的困扰。因此以下的讨论我们请忽略之前关于电阻测量的描述。

关于问题1：由于涉及到电阻描述，请忽略。

关于问题2：充电器是如何连接的？这种下降是由于浪涌电流引起的，还是充电时的持续下降？此时0.5A负载是否断开？

0的电流是多少？由BQ测量的还是外部测量的？如果电流确实为0A，且未连接负载，那么能量损失将流向哪里？电池上还有别的东西吗？

充电器是接到EVM板的PACK正负端的；是刚连接上充电器后，打开CHGTEST和DSGTEST（FET_ENABLE是关闭的），BQSTUDIO界面上的电流显示一直为0；电池上无其他东西。如下图为线路连接。（cell1到cell16上的分流器跳线均已移除，I2C跳线正常）

电池盒的电路如下：（电池盒与EVM板只连接了CELL0、CELL1、CELL2、CELL3、CELL4、CELL5）

关于问题3：您能澄清电流0mA何时为0mA，何时为0mA吗？你有充电器插入时发生的事情的范围捕获吗？

这个电流为0mA表示插上充电器后，打开充放电开关，BQSTUDIO上的电流显示一直是0（数据是按照默认周期一直更新的）。

关于后面的问题：在未进行充放电时，测量的电流跳动可能是由于板子上测量的原因，也可能是由于其他的干扰，这个问暂时先不考虑。我这边没有其他的EVM板。

此外，我怀疑是否是FET的问题，我测量了不同状态时FET两端的电压：

1.接电子负载时，CHG=1,DSG=1时,U_FE=4.56V, U_FD=-0.256V;

CHG=1,DSG=0时,U_FE=19.27V, U_FD=18.50V;

2.接充电器时

CHG=0,DSG=1时,U_BA=1.12V, U_BC=1.48V;

CHG=1,DSG=1时,U_BA=1.11V, U_BC=1.46V;

这正常吗？我怀疑是不是CHGFET有问题？还是说我电路接的有问题？可是同一个回路，放电是正常的，但是充电却不正常（充电器与电子负载不是同时接在PACK正负两端的）。

期望能得到解决。

您好，已经在E2E英文论坛发帖，请继续关注。

您好，又测量了一下

BAT电池包两端的电压为19.77V

接电子负载放电时：CHG=1,DSG=1,

此时UD = 18.38V,  UE = 13.63V   UF = 18.16V，

UC = 18.60V， UA = 18.74V   UB = 18.11V

接CHARGER时：：CHG=1,DSG=1,

此时UD = 20.81V,  UE = 21.21V   UF = 20.87V，

UC = 1918..43V， UA = 19.75V   UB = 20.87V。

在放电时，UD>UE,因此放电的MOS管可以正常导通；

在充电时，UC<UA,FET并没有实质上导通，我查看了一下寄存器设置，Chg Pump Control设置为01，电荷泵是启用的，但是CHG的电压比电池两端的电压低，导致CHGFET启用失败，这个CHG门极电压达不到到底是什么原因？还有就是DSGFET在正常导通放电时有4.53V的压降是什么原因？

您好，

看到论坛上的回复了。

基本的设置如下：

FET Options = 0x0d,  Chg Pump Control = 0x01,  预充预防是默认禁用的

其余的设置如下图

依据电路图测试了电荷泵两端的电压

在设置CHGTEST=1,DSGTEST=1时，测量TP3的对地电压为19.38V，TP2的电压为19.38V，即电荷泵C3两端没有压差，电荷泵未作用。

在设置FET_ENABLE时，点击ALLFETON，并点击SLEEP DISABLE, 此时Registers页面显示DSG_FET和CHG_FET打开，但是测量TP3的对地电压仍然为19.38V，TP2的电压为19.38V。所以这是器件本身有问题还是说没有设置对？但是电荷泵已经设置为启用了，此时TP3的电压应该高出电池组电压11V，但是实际情况时电荷泵并没有充电，两端的电压一致。

期待您的答复。

您好，请将gg文件发过来一下。

您好，TP3 should be ~11-V higher than TP2 if the charge-pump is enabled, if this is not the case, either the charge-pump is being drained somehow (too high of a load on the DSG/CHG pins), or the IC may be damaged.

Can you tried replacing the IC and see if the issue is fixed?

您可以在TI STORE上购买芯片。您的评估板是在哪里购买的。

您好，我这边上午又找了一块EVM板试了一下，那块板子的电荷泵是正常工作的，我这块我想办法买颗BQ76952芯片换了试一试吧。评估板是在淘宝上买的。

您好，建议您在TI store上购买。

www.ti.com.cn/.../BQ76952

您好，我这边今天EVM板上重新换了颗BQ76952，参考BQ76952EVM板的说明，使用32V电源模拟10颗电芯的总电压（其余六颗电芯是短接的）；

然后打开BQSTUDIO,打开FET_ENABLE,并打开SLEEP_DISABLE，PACK端未连接任何线路，其余配置均为默认配置。测试TP3的对地电压为42V，但是很快就闻到一股焦糊味，而且过程中TP3的电压在很快下降；立马断电后，可以测量到电荷泵C3两端的电阻为12.1欧姆。焦糊味是BQ76952的位置发出的，很显然，这颗BQ76952芯片也烧坏了，这到底是什么原因？期待能解答。

PS：在未更换BQ76952芯片之前做充电实验时，也遇到过出现焦糊味的情况，当时并未确定焦糊味出现的位置，在更换BQ芯片之前测量了一下电荷泵C3的电阻，是30多欧姆，以为是电荷泵被击穿了，更换了电荷泵测量结果还是一样，就更换了BQ76952芯片。

您好，补充一下，在BQ76952芯片烧坏后，电压是可以正常显示的，在关闭CHGFET和DSGFET寄存器的情况下，测量Q8的CHG引脚电压为30V左右，测量Q9的DSG引脚为0V，这又是什么原因？是否是BQ芯片烧坏与CHG有关？

您好，正在询问更了解这款芯片的TI工程师，稍后回复。

您好，

更换了BQ76952芯片后，电路连接方法和上图类似，直流电源为32V，CELL15至CELL9之间短接，但是未移除9-15的分流器；PACK+、PACKE-未接任何线，此时连接BQSTUDIO，打开FET_ENABL,打开SLEEP_DISABLE，使用万用表测量TP3与GND的电压差，刚开始显示42V，但很快测得的电压开始下降，同时闻到一股焦糊味，立即断电。焦糊味由BQ76952芯片位置发出，芯片外观无肉眼可见的损坏；测量电荷泵C3两端的电阻，显示12.3欧姆，可以判断BQ76952芯片内部控制电荷泵的充电回路出现损坏，完好的情况下C3两端是测不出电阻的。

BQ76952芯片损坏后，重新连接到BQSTUDIO上，模拟电池的电压可以正常显示，保护可以正常产生，连接到真实的电池上尝试进行均衡时，均衡未按照设置条件启动（已配置均衡，且电池的电压差大于设置的阈值）。

我推测可能有几种问题：

1、BQ76952EVM板本身电路有损坏，就是您提到的短路；

2、BQ76952芯片焊接可能存在问题，但是这一点肉眼观察接线正确，而且其他功能也未受影响；

3、是否会由于接线不牢固，导致芯片烧坏？但是换芯片之前也存在芯片损坏的情况，按说不应该是由于接线不牢固导致芯片烧坏。

若是由于EVM板电路短路的原因，您是否有其他的建议以测试EVM板的短路位置？如何排查EVM板本身没有问题？期待您的答复。

您好， 除非板子上某处短路，否则电容不会短路，IC 也不会损坏。建议在TI store买个新的评估板对比一下，确认板子上是否有焊接，短路等问题。

您好，我今天测了一下板子上的元器件，发现CHGFET旁边的D4齐纳二极管被烧坏了，就想起这是换芯片之前烧坏的，当时是连着电池，想要使用充电器给电池充电，打开充放电开关后，很快出现焦糊味，当时以为是连接线的被烧坏了，今天才发现是D4被烧坏了。之前换芯片时未发现D4烧坏，换了芯片之后打开CHGFET和DSGFET导致芯片被烧坏应该不是D4未更换的原因。

D4的作用是保护CHGFET不被烧坏，D4两端的反向电压差高于16V就会被烧坏，而CP1脚的电压高于电池组电压15V就会被烧坏，所以最终的原因是电荷泵充电超过了CP1内控制开关和D4的耐受电压，由于公开的资料中未明确电荷泵的充电逻辑，所以我想问一下电荷泵的充电是由什么控制的，如何防止电荷泵充电超过设定的值？期待您的答复。

您好，请参考下面内容

The D4 Zener is placed specifically to protect the CHG FET from voltages above 16-V. This typically only happens during events of large transients, like a short-circuit event. 

During normal operation there will always be a ~11-V voltage across the D4 Zener, when the part is OFF the voltage across the diode would be ~0-V. So typically the Zener would not be exposed to a voltage above 16-V.

The part will always control the charge-pump in relation to the BAT voltage. So it will always be ~11-V above the battery voltage.